[发明专利]基于H2化学过程中的高剂量植入剥离(HDIS)

权利要求书

1.一种在反应室中从工件表面移除材料的方法，所述方法包括：

将包括分子氢、弱氧化剂及含氟气体的气体引入到等离子体源中；

从所述被引入到所述等离子体源中的气体产生等离子体；及

在所述等离子体源下游及所述工件上游引入惰性气体，

其中所述从气体产生的等离子体包括分子氢、所述弱氧化剂及所述含氟气体的气 体与所述惰性气体一起流到所述工件并与来自所述工件的所述材料反应，

其中从所述工件表面移除的所述材料包括离子植入抗蚀剂。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述惰性气体选自由氩、氦、氮及其组合组 成的群组。

3.如权利要求1所述的方法，其中引入所述惰性气体包括在所述反应室中的喷 淋头上游引入所述气体。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述等离子体中的带电物质在其接触到所述 喷淋头时放电。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述弱氧化剂选自由二氧化碳、一氧化碳、 二氧化氮、氧化氮、水、过氧化氢及其组合组成的群组。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述弱氧化剂为二氧化碳。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述被引入到所述等离子体源中的气体包括 体积在0.1％到10％之间的所述弱氧化剂。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述含氟气体选自由四氟化碳、氟气体、三 氟化氮、六氟化硫、碳氟化合物、氢氟碳化合物及其组合组成的群组。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述含氟气体为四氟化碳。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述含氟气体为CF₄、C₂F₆、CHF₃、CH₂F₂、 C₃F₈或NF₃。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述被引入到所述等离子源中的气体包括体 积在0.1％到3％之间的所述含氟气体。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述从所述工件表面移除的材料包括高剂量 植入的抗蚀剂。

13.如权利要求1所述的方法，其中所述惰性气体的体积流速为所述分子氢的体 积流速的0.15倍与10倍之间。

14.如权利要求1所述的方法，其中所述惰性气体的所述体积流速至少为所述分 子氢的体积流速的2倍。

15.如权利要求1所述的方法，其中预先混合所述被引入到所述等离子体源中的 气体。

16.如权利要求1所述的方法，其中所述工件为300毫米的晶片且通过介于300 瓦与10千瓦之间范围内的RF功率产生所述等离子体。

17.如权利要求1所述的方法，其中所述工件在接触到所述包括分子氢、所述弱 氧化剂及所述含氟气体的气体时的温度在160摄氏度与400摄氏度之间。

18.如权利要求1所述的方法，其中所述处理室中的压力在300毫托与2托之间。

19.如权利要求1所述的方法，其中以至少100纳米/分的速率从所述工件表面 移除高剂量植入抗蚀剂，且以不大于4纳米/分的总速率从所述工件表面移除硅。

20.如权利要求12所述的方法，其中所述工件在移除后没有所述高剂量植入的 抗蚀剂的残余物，且其中下伏硅层中损失小于3埃的硅。