[发明专利]负极及其制造方法、二次电池及其制造方法、和砜化合物

权利要求书

1.一种负极，在设置在负极集电体上的负极活性物质层上具有涂层，其中，所述涂层包含具有碳酸酯基团和磺酰基基团的砜化合物，

其中，所述砜化合物为化学式1和化学式2所示的化合物中的至少一种，

化学式1

其中，R1是具有的碳数在1以上至8以下范围内的烷基基团，或具有的碳数在1以上至8以下范围内的烷基卤基团；R2是具有的碳数在1以上至8以下范围内的亚烷基基团，或具有的碳数在1以上至8以下范围内的亚烷基卤基团；X1是卤素基团、羟基基团或由-OM1表示的基团，而M1是碱金属、碱土金属或甲硅烷基酯基团；以及

化学式2

其中，R3是具有的碳数在1以上至8以下范围内的亚烷基基团，或具有的碳数在1以上至8以下范围内的亚烷基卤基团；R4是通过从具有的碳数在1以上至8以下范围内的亚烷基基团脱去一个氢基团而获得的三价基团，或者通过从亚烷基卤基团脱去一个氢基团或一个卤素基团而获得的三价基团；X2是卤素基团、羟基基团或由-OM2表示的基团，而M2是碱金属、碱土金属或甲硅烷基酯基团。

2.根据权利要求1所述的负极，其中，所述涂层包含除了对应于所述砜化合物的化合物之外的碱金属盐和碱土金属盐中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的负极，其中，所述负极活性物质层包含含有硅的单质、硅的合金、硅的化合物、锡的单质、锡的合金以及锡的化合物中的至少一种的负极活性物质。

4.根据权利要求1所述的负极，其中，所述负极活性物质层具有多个负极活性物质颗粒，并且具有覆盖所述负极活性物质颗粒表面的含氧化物膜。

5.根据权利要求4所述的负极，其中，所述含氧化物膜包含硅、锗以及锡中的至少一种的氧化物。

6.根据权利要求1所述的负极，其中，所述负极活性物质层具有多个负极活性物质颗粒，并且在所述负极活性物质颗粒之间的间隙中具有不与电极反应物合金化的金属材料。

7.根据权利要求6所述的负极，

其中，所述负极活性物质颗粒在所述颗粒内具有多层结构，并且

所述负极活性物质层在所述负极活性颗粒内的间隙中具有所述金属材料。

8.根据权利要求6所述的负极，其中，所述金属材料是铁、钴、镍、锌以及铜中的至少一种。

9.一种在设置在负极集电体上的负极活性物质层上具有涂层的负极的制造方法，其中，所述涂层通过使用包含具有碳酸酯基团和磺酰基基团的砜化合物的溶液而形成在所述负极活性物质层上，

其中，所述砜化合物为化学式3和化学式4所示的化合物中的至少一种，

化学式3

其中，R1是具有的碳数在1以上至8以下范围内的烷基基团，或具有的碳数在1以上至8以下范围内的烷基卤基团；R2是具有的碳数在1以上至8以下范围内的亚烷基基团，或具有的碳数在1以上至8以下范围内的亚烷基卤基团；X1是卤素基团、羟基基团或由-OM1表示的基团，而M1是碱金属、碱土金属或甲硅烷基酯基团；以及

化学式4

其中，R3是具有的碳数在1以上至8以下范围内的亚烷基基团，或具有的碳数在1以上至8以下范围内的亚烷基卤基团；R4是通过从具有的碳数在1以上至8以下范围内的亚烷基基团脱去一个氢基团而获得的三价基团，或者通过从亚烷基卤基团脱去一个氢基团或一个卤素基团而获得的三价基团；X2是卤素基团、羟基基团或由-OM2表示的基团，而M2是碱金属、碱土金属或甲硅烷基酯基团。

10.根据权利要求9所述的负极的制造方法，其中，使所述负极活性物质层浸渍在包含所述砜化合物的溶液中，或用包含所述砜化合物的溶液涂覆所述负极活性物质层。

11.根据权利要求9所述的负极的制造方法，其中，所述包含砜化合物的溶液包含除了对应于所述砜化合物的化合物之外的碱金属盐和碱土金属盐中的至少一种。