[发明专利]液晶显示设备的阵列基板及其制造方法有效
申请号: | 200810187271.7 | 申请日: | 2008-12-19 |
公开(公告)号: | CN101566770A | 公开(公告)日: | 2009-10-28 |
发明(设计)人: | 李相浃;李镇石 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/13;H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶显示 设备 阵列 及其 制造 方法 | ||
1.一种液晶显示设备的阵列基板,包括:
在基板上沿第一方向的栅极线;
与所述栅极线交叉以限定像素区域的数据线;
修复图案,其具有在所述数据线两端的岛形并与所述栅极线隔开第一距离,所述修复图案被设置成对应于所述栅极线和所述数据线的交叉部分;
在所述像素区域中并与所述栅极线和所述数据线连接的薄膜晶体管;和
在所述像素区域中并与所述薄膜晶体管连接的像素电极,
其中,当在所述栅极线和所述数据线之间产生电短路时,在所述栅极线和所述数据线的其中产生电短路的交叉部分两侧处的栅极线的部分与所述交叉部分电气地断开。
2.根据权利要求1所述的基板,其中,所述修复图案形成在与所述栅极线相同的层上并由与所述栅极线相同的材料形成。
3.根据权利要求2所述的基板,进一步包括沿所述第一方向的存储线和沿所述数据线从所述存储线延伸的存储图案,其中所述存储线和所述存储图案的每一个都形成在与所述栅极线相同的层上并由与所述栅极线相同的材料形成,并且所述存储线和所述存储图案的每一个都被设置在所述像素区域中。
4.根据权利要求3所述的基板,其中,所述修复图案与所述存储图案的端部隔开大约3微米到大约5微米的第二距离。
5.根据权利要求3所述的基板,其中,所述像素电极与所述存储线和所述存储图案的每一个重叠,从而形成在所述像素电极与所述存储线和所述存储图案的每一个之间的具有绝缘层的存储电容器。
6.根据权利要求1所述的基板,进一步包括:
第一沟槽,其暴露所述的在所述栅极线和所述数据线的其中产生电短路的交叉部分两侧处的栅极线的部分;
暴露所述修复图案的两端的第二沟槽;
在所述第一沟槽中的金属材料的第一接触图案;
在所述第二沟槽中的金属材料的第二接触图案;和
连接所述第一接触图案和所述第二接触图案的金属材料的连接图案。
7.根据权利要求6所述的基板,其中,所述像素电极沿所述连接图案的周边具有中断部分,从而所述像素电极的一部分与所述像素电极的其他部分电气地隔离。
8.根据权利要求7所述的基板,其中,与所述栅极线和所述数据线的其中产生电短路的交叉部分连接的所述薄膜晶体管的漏极电极具有中断部分,从而与所述像素连接的像素电极与所述薄膜晶体管电气地隔离。
9.根据权利要求1所述的基板,其中,所述修复图案的每一端与所述栅极线连接。
10.根据权利要求9所述的基板,其中,所述修复图案从所述栅极线延伸,从而所述栅极线具有两路通道。
11.根据权利要求1所述的基板,其中,所述第一距离为大约3微米到大约5微米。
12.一种液晶显示设备的阵列基板,包括:
在基板上沿第一方向的栅极线;
与所述栅极线交叉以限定以矩阵形状布置的第一到第四像素区域的数据线,所述矩阵形状被所述栅极线划分为第一和第二行,并被所述数据线划分为第一和第二列;
修复图案,其具有在所述数据线两端的岛形并与所述栅极线隔开,所述修复图案在所述第二行第一列的第三像素区域和第二行第二列的第四像素区域上延伸;
在所述第一行第二列的第二像素区域中并与所述栅极线和所述数据线连接的薄膜晶体管;和
在所述第二像素区域中并与所述薄膜晶体管连接的像素电极,
其中当在所述栅极线和所述数据线的交叉部分处产生电短路时,所述栅极线的第一部分与所述交叉部分电气地断开,所述栅极线的第一部分分别对应于所述交叉部分的两侧,且所述修复图案的两端与所述栅极线的第二部分电连接,每个所述第二部分对应于所述第一部分的外侧。
13.根据权利要求12所述的基板,其中,所述第三和第四像素区域的每一个中的像素电极的一部分与所述第三和第四像素区域的每一个中的所述像素电极的另一部分电气地断开。
14.根据权利要求12所述的基板,其中,使用激光束切割所述薄膜晶体管的一部分,从而将所述像素电极与所述薄膜晶体管电气地断开。
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