[发明专利]用于液晶显示装置的阵列基板及其制造方法

说明书

本申请要求2008年6月2日在韩国申请的韩国专利申请No.10-2008-0051643的权益，该申请在此引作参考。 

技术领域

本发明涉及液晶显示(LCD)装置，更具体而言，涉及具有改善的开口率和亮度的阵列基板，以及阵列基板的制造方法。 

背景技术

由于液晶显示(LCD)装置具有轻重量、薄外观和低功耗的特性，LCD装置已经被广泛地使用，特别是用于电视机、计算机显视器、蜂窝电话显示器、个人数字助理(PDA)等中。在已知类型的LCD装置中，具有排列成矩阵形式的薄膜晶体管(TFT)的有源矩阵LCD(AM-LCD)装置是重点研究和发展的课题，这是因为它们具有高分辨率，并且在显示运动图像时具有优异的性能。 

通常，通过阵列基板制造过程，滤色镜基板制造过程和单元制造过程来制造LCD装置。在阵列基板制造过程中，在第一基板上形成诸如TFT和像素电极的阵列元件。在滤色镜基板制造过程中，在第二基板上形成滤色镜和公共电极。在单元制造过程中，将第一与第二基板彼此固定在一起，将液晶设置在它们之间。 

图1为现有技术LCD装置的分解透视图。该LCD装置包括第一和第二基板12和22，以及液晶层30。第一和第二基板12和22彼此面对，液晶层30被置于两者之间。 

第一基板12包括栅极线14，数据线16，TFT“Tr”和像素电极18。将包括这些元件的第一基板12称作阵列基板10。栅极线14与数据线16彼此交叉，从而在栅极线14与数据线16之间形成一个区域，将其限定为像素区域“P”。在栅极线14与数据线16之间的交叉部分处形成TFT“Tr”，像素电极18形成在像素区域“P”中，与TFT“Tr”连接。 

第二基板22包括黑色矩阵25，滤色镜层26和公共电极28。将包括这些元件的第二基板22称作滤色镜基板20。黑色矩阵25具有栅格形状，覆盖第一基板12的非显示区，诸如栅极线14，数据线16和TFT“Tr”。滤色镜层26包括第一，第二和第三子滤色镜26a，26b和26c。每个子滤色镜26a，26b和26c具有红色R，绿色G和蓝色B中的一种颜色，并且与每个像素区域“P”相应。在黑色矩阵25和滤色镜层26上形成公共电极28，覆盖第二基板22的整个表面。 

尽管没有示出，不过，为了防止液晶层30泄漏，可以沿着第一和第二基板12和22的边缘形成密封图案。在第一基板12与液晶层30之间，以及第二基板22与液晶层30之间可形成第一和第二取向层。可在第一和第二基板12和22的外表面上形成偏振片。 

LCD装置包括与第一基板12的外表面相对的背光组件，向液晶层30输送光。当将扫描信号施加给栅极线14，以便对TFT“Tr”进行控制时，通过数据线16将数据信号施加给像素电极18，从而在像素电极18与公共电极28之间感应出电场。从而，电场将液晶切换成导通，结果，LCD装置利用来自背光组件的光产生图像。 

图2为用于现有技术LCD装置的阵列基板的一个像素区域的剖面图。在基板59上形成栅极线和数据线79。栅极线与数据线79彼此相交，限定出像素区域P。在像素区域P中的开关区域TrA中形成与栅极线连接的栅极63。在栅极线和栅极63上形成栅极绝缘层66。在栅极绝缘层上，与栅极63相对应地形成包括有源层67和欧姆接触层74的半导体层76。在欧姆接触层74上形成源极82和漏极84。源极82与数据线79连接，漏极84与源极82分隔开。在开关区域TrA中，栅极63，栅极绝缘层66，半导体层76，源极82和漏极84构成TFT Tr。在数据线和TFT Tr上形成包括漏极接触孔87的钝化层86。漏极接触孔87暴露出漏极84的一部分。在每个像素区域P中，在钝化层86上形成像素电极88，并且像素电极88通过漏极接触孔87与漏极84接触。 

半导体层76伸出源极和漏极之外超过大约2微米的第一宽度“A1”。此外，包括第一图案72和第二图案68的半导体图案73在每一侧伸出数据线79之外超过大约2微米的第二宽度“A2”。这是由于阵列基板59是通过四道掩模处理而形成的。将参照附图解释四道掩模处理。 

图3A到3H的剖面图表示用于制造根据现有技术的阵列基板的四道掩模处理。