[发明专利]液晶显示装置的阵列基板及其制造方法有效
| 申请号: | 200810186998.3 | 申请日: | 2008-12-12 |
| 公开(公告)号: | CN101604102A | 公开(公告)日: | 2009-12-16 |
| 发明(设计)人: | 申东旭;朴景台 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李 辉 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 液晶 显示装置 阵列 及其 制造 方法 | ||
1.一种液晶显示装置的阵列基板,所述阵列基板包括:
基板;
在所述基板上沿第一方向的第一和第二选通线;
沿第二方向的第一、第二及第三数据线,它们与所述第一和第二选 通线交叉以限定第一和第二像素区域;
第一和第二薄膜晶体管,它们分别位于所述第二选通线与所述第一 数据线的交叉部分处,和所述第二选通线与所述第二数据线的交叉部分 处;
第一和第二像素电极,它们分别在所述第一和第二像素区域中,所 述第一像素电极连接至所述第一薄膜晶体管,所述第二像素电极连接至 所述第二薄膜晶体管;以及
在所述第一和第二选通线之间的第一和第二公共线,该第一和第二 公共线分别与所述第一和第二像素电极交叠,所述第一公共线的垂直部 分和所述第二公共线的垂直部分与所述第二数据线交叠以覆盖所述第二 数据线的除了与所述第一选通线和所述第二选通线交叉的部分以外的部 分。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述第一公共线和所述 第二公共线中的每一个都包括水平部分、第一垂直部分和第二垂直部分, 所述水平部分沿所述第一方向布置,所述第一和第二垂直部分沿所述第 二方向从所述水平部分延伸,其中所述第一公共线的所述第一和第二垂 直部分与所述第一和第二数据线交叠,而所述第二公共线的所述第一和 第二垂直部分与所述第二和第三数据线交叠。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其中所述第一公共线的第二垂 直部分在所述第二数据线下方与所述第二公共线的第一垂直部分交叠。
4.根据权利要求2所述的阵列基板,其中,作为第一电极的所述第 一公共线的水平部分以及第一和第二垂直部分、作为第二电极的所述第 一像素电极、以及插入所述第一电极与所述第二电极之间的绝缘层,组 成第一存储电容器。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其中,作为第一电极的所述第 二公共线的水平部分以及第一和第二垂直部分,作为第二电极的所述第 二像素电极,以及插入所述第一电极与所述第二电极之间的绝缘层,组 成第二存储电容器。
6.一种液晶显示装置的阵列基板的制造方法,所述方法包括下列步 骤:
在基板上限定第一和第二开关区域、第一和第二像素区域、第一和 第二公共区域、以及第一、第二及第三数据区域;
在所述基板上形成第一和第二选通线、第一和第二栅极、以及第一 和第二公共线,其中所述第一和第二选通线沿第一方向形成,所述第一 和第二栅极连接至所述第二选通线,并且所述第一和第二公共线分别布 置在所述第一和第二公共区域中;
在所述第一和第二选通线、所述第一和第二栅极、以及所述第一和 第二公共线上形成栅绝缘层;
在所述栅绝缘层上覆盖所述第一和第二栅极的位置上形成第一和第 二半导体层;
在所述第一和第二半导体层上形成第一、第二及第三数据线、第一 和第二源极、以及第一和第二漏极,其中所述第一、第二及第三数据线 沿第二方向形成,并与所述第一和第二选通线交叉以限定所述第一和第 二像素区域,所述第一源极和漏极在所述第一半导体层上方相互间隔开, 并且所述第二源极和漏极在所述第二半导体层上方相互间隔开;
在所述第一、第二及第三数据线、所述第一和第二源极、以及所述 第一和第二漏极上形成钝化层,该钝化层包括分别暴露所述第一和第二 漏极的第一和第二接触孔;以及
在所述钝化层上形成第一和第二像素电极,所述第一像素电极通过 所述第一接触孔连接至所述第一漏极,所述第二像素电极通过所述第二 接触孔连接至所述第二漏极,
其中,所述第一和第二公共线分别与所述第一和第二像素电极交叠, 并且,所述第一公共线的垂直部分和所述第二公共线的垂直部分与所述 第二数据线交叠以覆盖所述第二数据线的除了与所述第一选通线和所述 第二选通线交叉的部分以外的部分。
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