[发明专利]金属用研磨液及研磨方法

权利要求书

1.一种金属用研磨液，它含有氧化剂、氧化金属溶解剂、第1保护膜形 成剂、第2保护膜形成剂及水，

上述氧化剂是选自过氧化氢、硝酸、过碘酸钾、次氯酸及臭氧水中的至少 一种，

上述氧化金属溶解剂是选自有机酸、有机酸的铵盐及硫酸中的至少一种，

上述第1保护膜形成剂是通过物理吸附和/或形成化学键而在金属膜表 面形成保护膜的化合物，上述第2保护膜形成剂是辅助第1保护膜形成剂形成 保护膜的化合物，

上述第1保护膜形成剂是选自氨、胺、氨基酸、亚胺、唑、硫醇及糖类中 的至少一种，上述第2保护膜形成剂是选自具有醇性或者苯酚性羟基的化合 物、酯、醚、多糖类、氨基酸盐、聚羧酸、聚羧酸盐、乙烯基系聚合物、酰胺、 偶氮化合物及钼化合物中的至少一种。

2.权利要求1所述的金属用研磨液，其中，上述第1保护膜形成剂是选 自苯并三唑及其衍生物中的至少一种。

3.权利要求1所述的金属用研磨液，其中，上述第1保护膜形成剂是将 腐蚀速度抑制在10nm/min以下的化合物。

4.权利要求1所述的金属用研磨液，其中，上述第2保护膜形成剂是选 自聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚酰胺酸、聚丙烯酸铵、聚甲基丙烯酸铵、聚酰 胺酸铵及聚丙烯酰胺中的至少一种。

5.权利要求1所述的金属用研磨液，其中，上述第2保护膜形成剂是使 第1保护膜形成剂的添加量减少的化合物。

6.权利要求1所述的金属用研磨液，其中，上述氧化金属溶解剂是选自 苹果酸、酒石酸、柠檬酸、苹果酸铵、酒石酸铵及柠檬酸铵中的至少一种。

7.权利要求1所述的金属用研磨液，该研磨液的化学机械研磨速度是 100nm/min以上、腐蚀速度是10nm/min以下。

8.权利要求7所述的金属用研磨液，其中，上述腐蚀速度是1nm/min 以下。

9.权利要求7所述的金属用研磨液，其中，上述化学机械研磨速度是250nm /min以上。

10.权利要求1或7所述的金属用研磨液，其用于研磨包含铜、铜合金、 铜氧化物及铜合金氧化物中的至少任一种的金属。

11.权利要求1或7所述的金属用研磨液，其实质上不含磨粒。

12.一种研磨方法，该研磨方法是在权利要求1或7所述的金属用研磨液 中通过研磨来去除被研磨物表面的金属膜。

13.权利要求12所述的研磨方法，其中，上述金属膜包含铜、铜合金、 铜氧化物及铜合金氧化物中的至少任一种。

14.权利要求12所述的研磨方法，其中，上述被研磨物在表面上备有叠 层膜，该叠层膜具有包含铜、铜合金、铜氧化物及铜合金氧化物中的至少任一 种的金属层，上述研磨方法是从上述叠层膜去除上述金属层的至少一部分的方 法。

15.权利要求12所述的研磨方法，其中，上述金属用研磨液实质上不含 磨粒。

16.一种研磨方法，该方法通过在金属研磨液中进行研磨来除去被研磨物 表面的金属膜，其中，所述金属用研磨液含有氧化剂、氧化金属溶解剂、第1 保护膜形成剂和第2保护膜形成剂，

上述第1保护膜形成剂是通过物理吸附和/或形成化学键而在金属膜表 面形成保护膜的化合物，上述第2保护膜形成剂是辅助第1保护膜形成剂形成 保护膜的化合物，

上述第1保护膜形成剂是选自氨、胺、氨基酸、亚胺、唑、硫醇及糖类中 的至少一种，

上述被研磨物在表面上备有叠层膜，该叠层膜具有包含铜、铜合金、铜氧 化物及铜合金氧化物中的至少任一种的金属层。

17.权利要求16所述的研磨方法，其中，上述金属用研磨液实质上不含 磨粒。

18.权利要求16所述的研磨方法，其中，上述金属用研磨液的化学机械 研磨速度是100nm/min以上、腐蚀速度是10nm/min以下。