[发明专利]电子器件、半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种有源矩阵型显示器件，所述有源矩阵型显示器件包括：

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

形成于具有绝缘表面的衬底上方的栅电极，

形成于所述栅电极上的栅绝缘膜，

形成于所述栅电极上方的作为活性层的半导体层，所述栅绝缘膜在 所述栅电极和所述半导体层之间，所述半导体层包括In-Ga-Zn-O，

在所述半导体层的一部分的上方且与所述半导体层的一部分接触的 沟道保护膜，所述沟道保护膜包含无机绝缘膜，和

各自形成于所述半导体层的上方的源极和漏极；

形成于所述源极、漏极、沟道保护膜和半导体层上方的绝缘膜；

形成于所述绝缘膜上方的像素电极，所述像素电极与所述薄膜晶体管的源 极和漏极之一电连接；

在所述绝缘膜中包含选自氧化硅、氧化硅、氮氧化硅和氧氮化硅的材料。

2.一种有源矩阵型显示器件，所述有源矩阵型显示器件包括：

形成于衬底上方的第一绝缘膜；

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

形成于所述第一绝缘膜上方的栅电极，

形成于所述栅电极上的栅绝缘膜，

形成于所述栅电极上方的作为活性层的半导体层，所述栅绝缘膜在 所述栅电极和所述半导体层之间，所述半导体层包括In-Ga-Zn-O，

在所述半导体层的一部分的上方且与所述半导体层的一部分接触的 沟道保护膜，所述沟道保护膜包含无机绝缘膜，和

各自形成于所述半导体层的上方的源极和漏极；

形成于所述源极、漏极、沟道保护膜和半导体层上方的第二绝缘膜；

形成于所述第二绝缘膜上方的像素电极，所述像素电极与所述薄膜晶体管 的源极和漏极之一电连接；

其中所述第一绝缘膜包含选自氮化硅和氮氧化硅的材料，和

其中所述第二绝缘膜包含选自氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和氧氮化硅的材 料。

3.一种具有有源矩阵型显示器件的电子器件，所述有源矩阵型显示器件 包括：

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

形成于具有绝缘表面的衬底上方的栅电极，

形成于所述栅电极上的栅绝缘膜，

形成于所述栅电极上方的作为活性层的半导体层，所述栅绝缘膜在 所述栅电极和所述半导体层之间，所述半导体层包括In-Ga-Zn-O，

在所述半导体层的一部分的上方且与所述半导体层的一部分接触的 沟道保护膜，所述沟道保护膜包含无机绝缘膜，和

各自形成于所述半导体层的上方的源极和漏极；

形成于所述源极、漏极、沟道保护膜和半导体层上方的绝缘膜；

形成于所述绝缘膜上方的像素电极，所述像素电极与所述薄膜晶体管的源 极和漏极之一电连接；

其中所述绝缘膜中包含选自氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和氧氮化硅的材料。

4.一种具有有源矩阵型显示器件的电子器件，所述有源矩阵型显示器件 包括：

形成于衬底上方的第一绝缘膜；

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

形成于所述第一绝缘膜上方的栅电极，

形成于所述栅电极上的栅绝缘膜，

形成于所述栅电极上方的作为活性层的半导体层，所述栅绝缘膜在 所述栅电极和所述半导体层之间，所述半导体层包括In-Ga-Zn-O，

在所述半导体层的一部分的上方且与所述半导体层的一部分接触的 沟道保护膜，所述沟道保护膜包含无机绝缘膜，和

各自形成于所述半导体层的上方的源极和漏极；

形成于所述源极、漏极、沟道保护膜和半导体层上方的第二绝缘膜；

形成于所述第二绝缘膜上方的像素电极，所述像素电极与所述薄膜晶体管 的源极和漏极之一电连接；

其中所述第一绝缘膜包含选自氮化硅和氮氧化硅的材料，和

其中所述第二绝缘膜包含选自氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和氧氮化硅的材 料。

5.根据权利要求1-2任一项的有源矩阵型显示器件，其中所述有源矩 阵型显示器件为液晶显示器件。