[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于：

包括设置在半导体基板上的多层配线、

以覆盖所述多层配线的方式设置在所述半导体基板上的无机类绝缘膜、

设置在所述无机类绝缘膜上的第1有机类绝缘膜、

设置在所述第1有机类绝缘膜上的再配线、及以覆盖所述再配线的方式设置在 所述第1有机类绝缘膜上的第2有机类绝缘膜；

所述再配线在所述半导体基板的面内具有彼此电性分离的第1图案及第2图 案；

在所述多层配线的最上层配线的一部分上且在所述无机类绝缘膜及所述第1 有机类绝缘膜上所设置的第1开口部中，所述第1图案与所述多层配线电性连接；

所述第2图案与所述多层配线电性分离；

在所述第1图案的一部分上且在所述第2有机类绝缘膜上所设置的第2开口部 中，所述第1图案的一部分露出；

所述第1图案与所述第2图案设置成混合存在于所述半导体基板的面内。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

在所述第1图案的一部分上，设置有与所述第1图案电性连接的凸块电极。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述半导体基板构成在面内具有第1区域及所述第1区域周围的第2区域的半 导体芯片；

所述第1图案设置在所述第2区域上；

所述第2图案设置在所述第1区域及所述第2区域上。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述第2图案的平面形状为圆形状或者所有的角为钝角的多角形状。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述第2图案的加工尺寸为所述第1图案的加工尺寸以下。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述再配线在所述半导体基板的面内的占有率为35％以上。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述再配线在所述半导体基板的面内的占有率为60％以下。

8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：

包括以下步骤：

(a)在半导体基板上形成多层配线之后，以覆盖所述多层配线的方式在所述 半导体基板上形成第1绝缘膜；

(b)在所述第1绝缘膜上形成第2绝缘膜；

(c)在所述多层配线的最上层配线的一部分上的所述第1绝缘膜及所述第2 绝缘膜上，形成使所述最上层配线的一部分露出的第1开口部；

(d)使用电解电镀法，以埋入到所述第1开口部的内部的方式在所述第2绝 缘膜上形成构成第1图案部份的再配线，并且以与所述第1图案电性分离的方式在 所述第2绝缘膜上形成构成第2图案部份的再配线；及

(e)在以覆盖所述再配线的方式在所述半导体基板上形成第3绝缘膜之后， 将在所述第1图案的一部分上且使所述第1图案的一部分露出的第2开口部形成在 所述第3绝缘膜上；

在所述步骤(d)中，以使所述第1图案及所述第2图案混合存在于所述半导 体基板的面内的方式而形成所述再配线。

9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

进一步包括以下步骤：

(f)在所述步骤(d)之前，利用使用有计算机的自动设计，将所述第1图案 及所述第2图案在所述半导体基板的面内进行定位，

所述步骤(f)包括以下步骤：

(f1)在所述半导体基板的面内形成配置有所述第1图案的第1处理图案；

(f2)在所述半导体基板的整个面上形成配置有所述第2图案的第2处理图案；

(f3)将所述第1处理图案及所述第2处理图案加以合成；及

(f4)在所述步骤(f3)之后，计算与所述第1图案在固定间隔内的所述第2 图案，并将其删除。