[发明专利]图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种器件，包括：

第一衬底；

在所述第一衬底上方形成的包括金属互连的电路；和

在所述第一衬底上方的光电二极管，所述光电二极管接触所述金属互连，

其中所述第一衬底的所述电路包括：

在所述第一衬底上方的第一晶体管和第二晶体管；

在所述第一晶体管和所述第二晶体管之间的结区；和

在所述第二晶体管一侧的第一导电型区域，所述第一导电型区域连接至所述金属互连。

2.根据权利要求1所述的器件，其中所述结区包括：

在所述第一衬底上方的第一导电型离子注入区域；和

在所述第一导电型离子注入区域上方的第二导电型离子注入区域。

3.根据权利要求2所述的器件，其中所述结区包括PN结。

4.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一导电型区域包括N+区域。

5.根据权利要求1所述的器件，包括在所述第一衬底中形成的第一浮置扩散区和第二浮置扩散区，其中所述第二浮置扩散区连接至所述金属互连。

6.根据权利要求1所述的器件，其中所述光电二极管形成在晶体半导体层中并电连接至所述金属互连。

7.根据权利要求6所述的器件，其中所述晶体半导体层形成在第二衬底上方，和其中所述第二衬底接合至所述第一衬底。

8.一种器件，包括：

半导体衬底；

在所述半导体衬底上方形成的包括金属互连的读出电路；和

在所述半导体衬底上方的光电二极管，其中所述光电二极管接触所述金属互连，和

其中所述半导体衬底的所述电路包括：

在所述半导体衬底上方的第一晶体管和第二晶体管；

在所述第一晶体管和所述第二晶体管之间的结区；和

在所述第二晶体管一侧的第一导电型区域，所述第一导电型区域连接至所述金属互连，

其中所述半导体衬底具有掺杂有第二导电型杂质的上部。

9.根据权利要求8所述的器件，其中所述结区包括：

在所述半导体衬底的所述第二导电型区域上方的第一导电型离子注入区域；和

在所述第一导电型离子注入区域上方的第二导电型离子注入区域。

10.根据权利要求8所述的器件，其中所述半导体衬底具有掺杂有P-型杂质的上部，所述结区包括PN结。

11.根据权利要求8所述的器件，其中所述第一晶体管和第二晶体管包括转移晶体管。

12.一种方法，包括：

提供第一衬底；

在所述第一衬底上方形成包括金属互连的电路；和

在所述金属互连上方形成光电二极管，其中形成所述第一衬底的所述电路包括：

在所述第一衬底上方形成第一晶体管和第二晶体管；

在所述第一晶体管和所述第二晶体管之间形成结区；和

在所述第二晶体管的一侧形成第一导电型区域，所述第一导电型区域连接至所述金属互连。

13.根据权利要求12所述的方法，其中形成所述结区包括：

在所述第一衬底上方形成第一导电型离子注入区域；和

在所述第一导电型离子注入区域上方形成第二导电型离子注入区域。

14.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述结区包括形成PN结。

15.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一导电型区域包括N+区域。

16.根据权利要求12所述的方法，包括在所述第一衬底中形成第一浮置扩散区和第二浮置扩散区，其中所述第二浮置扩散区连接至所述金属互连。

17.根据权利要求12所述的方法，其中所述光电二极管形成在晶体半导体层中并电连接至所述金属互连。

18.根据权利要求17所述的方法，包括在第二衬底上方形成所述晶体半导体层，和将所述第二衬底接合到所述第一衬底。