[发明专利]单层型电子照相感光体和图像形成装置

权利要求书

1.一种单层型电子照相感光体，其特征在于包括：

基体；和在所述基体上设置的单层感光层；其中，

所述感光层包含电荷产生剂、空穴输送剂、电子输送剂和粘结树脂，

所述空穴输送剂是用下述通式(1)表示的化合物，

所述电子输送剂是从用下述通式(3)～(5)表示的化合物所构成 的组中选择的至少一种，并且所述电子输送剂在25℃的条件下对四氢呋 喃的溶解度为27～50质量％，

通式(1)中：Ar¹表示单环的芳基，该芳基是非取代芳基或者是作 为取代基具有碳原子数为1～4的烷基的芳基；Ar²表示亚苯基，所述亚 苯基是非取代亚苯基或者是作为取代基具有碳原子数为1～4的烷基的亚 苯基；X¹表示氢原子或者单环的芳基，该芳基是非取代芳基或者是作为 取代基具有碳原子数为1～4的烷基的芳基；Y¹表示单环的芳基，该芳基 是非取代芳基或者是作为取代基具有碳原子数为1～4的烷基或者用下述 通式(2)表示的取代基的芳基，

通式(2)中：R¹表示氢原子；R²表示碳原子数为1～4的烷基；Z¹表示氢原子；取代基数m和n表示0～4的整数，

通式(3)中，R³表示卤素原子、碳原子数为1～6的取代或非取代 烷基或者碳原子数为6～30的取代或非取代芳基，R⁴表示碳原子数为1～ 6的取代或非取代烷基、碳原子数为6～30的取代或非取代芳基或者用- O-R⁵表示的基，R⁵表示碳原子数为1～6的取代或非取代烷基、碳原子 数为6～30的取代或非取代芳基或者碳原子数为7～30的取代或非取代 芳烷基，

通式(4)中，R⁶和R⁷分别独立表示碳原子数为1～6的取代或非取 代烷基，

通式(5)中，R⁸～R¹²分别独立表示氢原子、卤素原子或者碳原子 数为1～8的取代或非取代烷基。

2.根据权利要求1所述的单层型电子照相感光体，其特征在于，所 述空穴输送剂满足如下溶解析出量：将在外径为30mm、长度为40mm 的所述基体上形成有厚度为30μm的树脂层的基体浸渍于液体温度为25 ℃的30g甘油三油酸酯中20小时时，用所述通式(1)表示的化合物相 对于甘油三油酸酯的溶解析出量在1～10mg的范围内，其中，

所述树脂层的组成为：相对于100质量份聚碳酸酯树脂，配入有80 质量份用所述通式(1)表示的化合物。

3.根据权利要求1所述的单层型电子照相感光体，其特征在于，所 述电子输送剂的含量相对于所述100质量份的粘结树脂，在10～70质量 份的范围内。

4.根据权利要求1所述的单层型电子照相感光体，其特征在于，所 述基体的外径在10～25mm的范围内。

5.一种图像形成装置，其特征在于包括：

像载体；

带电装置，用于使所述像载体表面带电；

曝光装置，用于使所述像载体表面曝光，形成静电潜影；

显影装置，用于使所述静电潜影作为调色剂像显影；以及

转印装置，用于把所述调色剂像从所述像载体转印到被转印件上； 其中，

所述像载体是权利要求1-4中任意一项所述的单层型电子照相感光 体。

6.根据权利要求5所述的图像形成装置，其特征在于，所述显影装 置把调色剂提供给在所述单层型电子照相感光体上形成的静电潜影进行 显影，并且回收残留在所述单层型电子照相感光体表面的调色剂。

7.根据权利要求5所述的图像形成装置，其特征在于，所述带电装 置、所述显影装置和所述转印装置中至少有一个与所述单层型电子照相 感光体接触。