[发明专利]端面处理用夹具以及使用其的半导体激光装置的制造方法无效

专利信息
申请号: 200810186306.5 申请日: 2008-12-15
公开(公告)号: CN101483316A 公开(公告)日: 2009-07-15
发明(设计)人: 中川康幸 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01S5/00 分类号: H01S5/00;C23C14/50;C23C16/458
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 闫小龙;王小衡
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 端面 处理 夹具 以及 使用 半导体 激光 装置 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及在半导体激光装置的光射出的端面以及在其相反侧的端面上形成反射率控制膜时,适宜地使用的端面处理用夹具以及使用该夹具的半导体激光装置的制造方法。

背景技术

半导体激光装置以高效地取出在其内部产生的光、以及防止半导体激光装置的氧化而引起的劣化为目的,在光射出的端面和其相反侧的端面上形成反射率控制膜。在半导体激光装置的上述端面上形成反射率控制膜的情况下,半导体激光装置通过下述方式制造。首先,在化合物半导体的衬底上形成P型层和n型层后,在各个p型层和n型层上形成电极。然后,通过劈开,形成为多个半导体激光装置本体相连的条状态,并与该条(以下称为“半导体激光条”)是不同材料的长方体(以下称为“隔板(spacer)”)交替排列,安装在固定它们的夹具上,并在上述端面上形成反射率控制膜(例如,参照专利文献1、2)。

专利文献1:日本专利申请公开平9-83072号公报

专利文献2:日本专利公告平6-7619号公报

在上述现有的技术中,通过使用溅射法、真空蒸镀法或化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,简称为CVD)法等方法形成单层膜或至少两层以上的多层膜,从而形成反射率控制膜。在这些方法中,构成反射率控制膜的材料的粒子在具有能量的状态下碰撞固定半导体激光条和隔板的夹具或隔板。碰撞夹具或隔板的粒子中的很多粒子虽然附着在其上,但是一部分粒子会蚀刻夹具或隔板进行,因蚀刻而从夹具或隔板放出的粒子有被引入半导体激光装置的端面上形成的反射率控制膜中的情况。

在固定半导体激光条和隔板的夹具是由例如不锈钢(SUS)等金属构成的情况下,金属被引入反射率控制膜中。当在反射率控制膜中引入有金属的状态下进行激光振荡时,该金属吸收光,引起光学灾变性损坏(Catastrophic Optical Damage,简称为COD)导致的劣化,存在半导体激光装置的可靠性降低的问题。

发明内容

本发明是为了解决上述问题而完成的,其目的在于提供一种端面处理用夹具以及使用该夹具的半导体激光装置的制造方法,该端面处理用夹具能够防止半导体激光装置的因光学灾变性损坏导致的劣化,在半导体激光装置本体的端面上形成反射率控制膜。

本发明的端面处理用夹具,是为了在半导体激光装置本体的端面上形成反射率控制膜并制造半导体激光装置而固定半导体激光装置本体的端面处理用夹具,其特征在于:具有窗部,该窗部形成有露出半导体激光装置本体的端面的窗口,至少窗部由氧化物和氮化物中的至少一方构成。

本发明的半导体激光装置的制造方法的特征在于,具备如下工序:通过上述端面处理用夹具固定半导体激光装置本体,在从上述端面处理用夹具的窗口露出的半导体激光装置本体的端面上形成反射率控制膜。

此外,本发明的半导体激光装置的制造方法的特征在于,具备如下工序:以在相邻的两个半导体激光装置本体之间插入隔板的方式配置多个半导体激光装置,通过上述端面处理用夹具固定,在从上述端面处理用夹具的窗口露出的各半导体激光装置本体的端面上,形成反射率控制膜,其中,上述隔板至少由氧化物和氮化物中的至少一方构成。

根据本发明的端面处理用夹具,半导体激光装置本体以从窗部的窗口露出端面的方式被固定。在此状态下,在半导体激光装置本体的端面上形成反射率控制膜,制造半导体激光装置。在使反射率控制膜的材料附着在半导体激光装置本体的端面上形成反射率控制膜时,当反射率控制膜的材料附着在端面处理用夹具的窗部上,窗部被蚀刻时,因蚀刻而被放出的窗部的材料被引入反射率控制膜中。在端面处理用夹具的窗部是由金属构成的情况下,金属被引入反射率控制膜中,被引入的金属吸收光,引起光学灾变性损坏劣化。因为本发明的端面处理用夹具的窗部由氧化物和氮化物中的至少一方构成,因此在窗部的材料被引入反射率控制膜中的情况下,氧化物或氮化物的至少一方被引入反射率控制膜中。

因此,因为能够防止金属被引入反射率控制膜中,能够防止引入的金属导致光吸收,所以能够防止半导体激光装置的光学灾变性损坏劣化,在半导体激光装置本体的端面上形成反射率控制膜。

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