[发明专利]一种电阻加热法制备Ge膜的制作方法无效
| 申请号： | 200810186286.1 | 申请日： | 2008-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN101457342A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 叶自煜;熊玉卿;张佰森;王多书;陈焘;刘宏开;王济洲 | 申请（专利权）人： | 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所 |
| 主分类号： | C23C14/26 | 分类号： | C23C14/26;C23C14/14 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 | 代理人： | 张利萍 |
| 地址： | 730000甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 加热 法制 ge 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种电阻加热法制备Ge膜的制作方法，其特征在于具体制备步骤如下：
(1)制作蒸发舟：先用方形厚度为0.1～0.5mm的钽片制作2.5cm×1.5cm×1cm钽舟，然后用厚度为0.2～1.0mm石墨纸制作同样尺寸大小的舟，垫衬在制作好的钽舟里并安装在真空室内；
(2)真空室抽真空：打开机械泵预抽，真空度抽至15Pa，然后开启分子泵抽真空优于2.03×10-3Pa，并加热基底130～175℃，保温90分钟以上；
(3)离子束清洗基底：加热完成后，用能量为60eV～120eV的离子束轰击清洗基底5Min～25Min，工作气体为氩气，气体流量20～30sccm；
(4)利用电阻蒸发方法，调节蒸发电流200A，使Ge颗粒熔化，然后再加大蒸发电流至200A～250A使Ge蒸发，凝聚并沉积在基底表面，通过控制电流得到稳定的沉积速率，该速率为1～2nm/s；
(5)基底降温：薄膜沉积完成后，让基底自然冷却至室温。
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