[发明专利]图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种器件，包括：

在第一基板上方的金属互连连接和读出电路；

在所述金属互连连接上方的金属层；以及

电连接到所述金属层的图像感测器件。

2.根据权利要求1所述的器件，其中所述金属层包括铝(Al)。

3.根据权利要求2所述的器件，其中所述金属层的厚度在从约100至500的范围内变化。

4.根据权利要求1所述的器件，其中所述金属层包括钛(Ti)。

5.根据权利要求4所述的器件，其中所述金属层的厚度在从约50至500的范围内变化。

6.根据权利要求1所述的器件，其中所述读出电路包括在第一基板 上方的电结区。

7.根据权利要求6所述的器件，其中所述电结区包括：

在第一基板中的第一导电型离子注入区；以及

在第一导电型离子注入区上方的第二导电型离子注入区。

8.根据权利要求7所述的器件，包括：在所述电结区上方的、电连 接到所述金属互连连接的第一导电型连接区。

9.根据权利要求7所述的器件，包括：与所述电结区相隔开且电连 接到所述金属互连连接的第一导电型连接区。

10.根据权利要求1所述的器件，其中所述读出电路包括晶体管，所 述晶体管被配置成使得在所述晶体管两侧的源极和漏极之间存在电势差。

11.根据权利要求10所述的器件，其中所述晶体管包括转移晶体管， 以及其中所述晶体管的源极的离子注入浓度低于浮动扩散区的离子注入 浓度。

12.一种方法，包括：

在第一基板上方形成金属互连连接和读出电路；

在所述金属互连连接上方形成金属层；

在所述金属层上方形成图像感测器件；以及

将所述金属层与图像感测器件接合在一起。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述金属层包括铝(Al)。

14.根据权利要求13所述的方法，包括：将所述金属层形成为具有 在约100至500的范围内的厚度。

15.根据权利要求12所述的方法，其中所述金属层包括钛(Ti)。

16.根据权利要求15所述的方法，包括：将所述金属层形成为具有 在约50至500的范围内的厚度。

17.根据权利要求12所述的方法，其中形成读出电路的步骤包括在 第一基板上方形成电结区，以及其中形成电结区的步骤包括：

在第一基板中形成第一导电型离子注入区；以及

在第一导电型离子注入区上方形成第二导电型离子注入区。

18.根据权利要求17所述的方法，包括：在所述电结区上方形成连 接到所述金属互连连接的第一导电型连接区。

19.根据权利要求18所述的方法，包括：在形成用于与所述金属互 连连接相耦合的接触之后，形成第一导电型连接区。

20.根据权利要求18所述的方法，包括：形成与所述电结区相隔开 且电连接到所述金属互连连接的第一导电型连接区。