[发明专利]图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

在第一衬底上方的金属互连和读出电路；

在所述金属互连上方的金属层；

电连接至所述金属层并包括第一导电型导电层和第二导电型导电层的 图像传感器件；和

电连接至电结区上方的所述金属互连的第一导电型连接区域，

其中所述读出电路包括晶体管，并且其中在所述晶体管两侧处的源极 和漏极之间存在电位差，

其中由图像传感器件产生的电子完全转储至所述晶体管的漏极，

其中所述读出电路包括在所述第一衬底中的电结区，并且其中所述电 结区包括：

在所述第一衬底中的第一导电型离子注入区域；和

在所述第一导电型离子注入区域上方的第二导电型离子注入区域，

其中所述电结区包括PNP结，

其中所述第一导电型连接区域贯穿所述第二导电型离子注入区域并接 触所述第一导电型离子注入区域。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述金属互连暴露于所述第 一衬底的上表面上，并且其中所述金属层包括在所述第一衬底和所述图像 传感器件之间的第一金属层。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述晶体管包括转移晶体管， 并且其中所述晶体管的所述源极的离子注入浓度低于浮置扩散区的离子 注入浓度。

4.一种制造图像传感器的方法，包括：

在第一衬底上方形成金属互连和读出电路；

在所述金属互连上方形成金属层；

在电结区上方形成连接至所述金属互连的第一导电型连接区域；

在所述金属层上方形成图像传感器件，所述图像传感器件包括第一导 电型导电层和第二导电型导电层；和

接合所述金属层和所述图像传感器件，使得所述金属层接触所述图像 传感器件，

其中所述读出电路包括晶体管，并且其中在所述晶体管两侧处的源极 和漏极之间存在电位差，

其中由图像传感器件产生的电子完全转储至所述晶体管的漏极，

其中所述读出电路包括在所述第一衬底中的电结区，并且其中所述电 结区包括：

在所述第一衬底中的第一导电型离子注入区域；和

在所述第一导电型离子注入区域上方的第二导电型离子注入区域，

其中所述电结区包括PNP结，

其中所述第一导电型连接区域贯穿所述第二导电型离子注入区域并接 触所述第一导电型离子注入区域。

5.根据权利要求4所述的制造图像传感器的方法，其中所述金属互连暴露 于所述第一衬底的上表面上。

6.根据权利要求5所述的制造图像传感器的方法，其中形成所述金属层包 括：在所述第一衬底上形成接触所述金属互连的第一金属层。