[发明专利]变阻器

说明书

技术领域

本发明涉及将阻抗体和变阻器素体一体化的变阻器。

背景技术

由于变阻器保护例如各种控制设备、通讯设备以及这些设备的部件远离例如静电等外来电涌(异常电压)或噪音，因而被用于吸收或除去外来电涌或噪音。

作为构成这样的变阻器的变阻器素体的构成成分，为了实现电压非线性等的变阻特性或放电承受量的提高，有人提出使用作为主要成分的氧化锌、作为次要成分的稀土类元素、氧化钙、氧化硅(例如参照日本专利申请公开第3493384号公报)。

然而，在将阻抗体串联连接于变阻器的情况下，由于分别将两个元件安装到印刷基板上，因而安装空间扩大，无法对应于高密度的安装。为了实现该高密度的安装，有人提出了一种将变阻器素体和阻抗体一体化的变阻器(例如参照日本专利申请公开第3097332号公报)。

发明内容

对于高密度安装的变阻器素体和阻抗体一体化的变阻器而言，不仅要求变阻器具有良好的变阻特性，而且，为了伴随着数字信号和通讯速度的高速化而降低对信号的影响，还要求具有低的静电容量。

然而，已知在制作变阻器素体和阻抗体一体化的变阻器的情况下，变阻特性将降低。在研讨了该原因之后，发现变阻特性的降低起因于变阻器素体、设在该变阻器素体上的导体、以及阻抗体各自的含有成分相互反应而生成的反应生成物。

本发明是鉴于上述的情况而提出的，其目的在于，提供一种可以高密度安装，具有优异的变阻特性且充分地降低阻抗的偏差的变阻器。

为了达到上述目的，本发明提供一种变阻器，该变阻器具备变阻器素体、位于变阻器素体的一个主面上的一对外部电极、位于所述主面上的阻抗体，阻抗体以连接一对外部电极的方式设置；变阻器素体具有主要成分和次要成分，含有作为主要成分的氧化锌，含有作为次要成分的钙氧化物、硅氧化物、稀土类金属的氧化物；相对于100摩尔的所述主要成分，将所述钙氧化物换算为钙原子后的比例X为2～80原子％，相对于100摩尔的所述主要成分，将所述硅氧化物换算为硅原子后的比例Y为1～40原子％，相对于所述Y的所述X的比例(X/Y)满足下述式(1)，外部电极和阻抗体含有与氧化铋和氧化铜不同的氧化物。

1≤X/Y＜3    (1)

本发明的变阻器在具有优异的变阻特性的同时，能够充分地降低阻抗的偏差。发明人如下述般推测出得到相关的效果的理由。即，本发明的变阻器所具备的变阻器素体，具备含有与氧化铋和氧化铜不同的氧化物的外部电极和阻抗体，因而在变阻器的制造时以及使用中，能够充分地抑制外部电极、变阻器素体以及阻抗体的相互之间的反应。由此，能够抑制在外部电极、变阻器素体以及阻抗体中生成反应生成物。所以，推测能够不损害并维持变阻器素体本来的优异的变阻特性，另外，能够充分地降低阻抗值的偏差。

另外，在本发明中，优选在变阻器素体的主面与一对外部电极和阻抗体的至少一者之间具备基底玻璃层。

如此地在变阻器素体与一对外部电极以及阻抗体的至少一者之间具备基底玻璃层的变阻器，能够更充分地抑制外部电极和变阻器素体的反应以及阻抗体和变阻器素体的反应的至少一者的反应。

另外，在本发明的变阻器中，优选阻抗体以覆盖与外部电极的变阻器素体侧相反的面的至少一部分的方式设置。

通过使用这样的方式的阻抗体，能够进一步提高阻抗体和导体的结合力。因此，在能够进一步抑制变阻器的阻抗值的偏差的同时，能够提高耐久性和可靠性。

另外，优选本发明的变阻器具备玻璃层以覆盖阻抗体和一对外部电极。通过具备这样的玻璃层，能够保护变阻器。所以，能够进一步提高变阻器的耐久性和可靠性。

根据本发明，能够提供一种可以高密度安装，具有优异的变阻特性且充分地降低阻抗的偏差的变阻器。

附图说明

图1是本发明的第1实施方式涉及的变阻器的模式剖面图。

图2是第1实施方式涉及的变阻器1的剖面的X射线微量分析(EPMA)的元素分布的示意图。

图3是现有的变阻器的剖面的X射线微量分析(EPMA)的元素分布的示意图。

图4是第2实施方式涉及的层叠型芯片变阻器的概略上面图。

图5是第2实施方式涉及的层叠型芯片变阻器的概略下面图。

图6是用于说明沿着图5中的VI-VI线的剖面构成的图。

图7是用于说明沿着图5中的VII-VII线的剖面构成的图。

图8是用于说明沿着图5中的VIII-VIII线的剖面构成的图。

图9是用于说明第2实施方式涉及的层叠型芯片变阻器的等效电路的图。