[发明专利]固态图像传感装置无效

专利信息
申请号: 200810185923.3 申请日: 2007-05-16
公开(公告)号: CN101459187A 公开(公告)日: 2009-06-17
发明(设计)人: 中柴康隆 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L23/29;H01L23/31;H01L23/488;G06K9/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 孙志湧;穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 固态 图像 传感 装置
【说明书】:

本申请是2007年5月16日提交的申请号为200710104106.6、发明名称为“固态图像传感装置”之申请的分案申请。

本申请基于日本专利申请NO.2006-136093,该申请的全文通过引用并入本文。

技术领域

本发明涉及固态图像传感装置。

背景技术

倒装芯片封装技术是一种半导体芯片封装技术,该技术在NikkeiElectronics,January 3,2005第113-120页中公开。根据此公开中所描述的封装技术,被称为凸点下金属的焊料盘(solder land)位于晶片表面的凸点盘(bump land)上。然后,在通过焊膏印刷(paste printing)形成了用于内部连接的焊料凸点后,芯片通过划片被从晶片上切下。被切下的芯片通过上述焊料凸点与互连衬底相连。下填充树脂被使用于连接部分。

另外,除了上述公开,还有若干现有技术文献涉及本发明,如日本未决公开专利公开No.2005-38406和日本未决公开专利公开No.2002-33469。

同时,上述倒装芯片封装技术可应用于固态图像传感装置。即可以考虑固态图像传感芯片,诸如被倒装安装在互连衬底上的指纹传感器。

不过,本发明的发明者也发现,上述固态图像传感装置存在下述问题。即在上述固态图像传感装置中,杂光可以通过下填充树脂进入固态图像传感芯片。如果杂光进入,将产生错误信号,使所采集的图像恶化。

发明内容

根据本发明,提供了一种固态图像传感装置,其包含:互连衬底;固态图像传感芯片,其倒装在所述互连衬底上,并能通过对入射在固态图像传感芯片的背表面上的光进行光电转换,从而可操作地采集待成像物体的图像;以及下填充树脂,其用于填充互连衬底和固态图像传感芯片间的空隙,并阻挡所述光。其中待成像物体接触固态图像传感芯片的背表面,互连衬底具有平坦的上表面和平坦的下表面,固态图像传感芯片具有平坦的背表面。

在该固态图像传感装置中,使用了遮光性下填充树脂。通过这样的构造,可以防止杂光透过下填充树脂进入固态图像传感芯片。

根据本发明,可以实现能够获得良好成像图片图像的固态图像传感装置。

附图说明

通过下述结合附图对一些优选实施例的描述,本发明的上述以及其它发明目的、优点和特性将更加明显:

图1示出了根据本发明的第一实施例的固态图像传感装置的剖视图。

图2示出了固态图像传感芯片的一个实例的剖视图。

图3示出了图1所示的固态图像传感装置工作的实例的剖视图。

图4示出了根据本发明的第二实施例的固态图像传感装置的剖视图。

具体实施方式

下面参考说明性实施例对本发明进行描述。所属领域的技术人员将认识到,根据本发明的讲解,能实现多种可选实施例,并且本发明并不局限于为说明性目的而示例的实施例。

下面参考附图,对根据本发明的固态图像传感装置的优选实施例进行详细说明。其中在说明附图时,相似的附图标记表示功能相似的元件,因此将不再重复多余的描述。

第一实施例

图1的剖视图显示了根据本发明的第一实施例的固态图像传感装置。该固态图像传感装置1具有互连衬底10,固态图像传感芯片20和下填充树脂30。例如,互连衬底10是印刷电路板。

固态图像传感芯片20倒装在互连衬底10上。也就是说,固态图像传感芯片20通过焊料凸点22与互连衬底10相连。另外,固态图像传感芯片20具有上表面,即面对互连衬底10的电路形成表面。例如,该固态图像传感芯片20可以是指纹传感器,其用于通过对入射在固态图像传感芯片20的背面S1上的光进行光电转换,从而采集待成像物体的图像。

图2的剖视图显示了固态图像传感芯片20的一个实例。图2所示的固态图像传感芯片20具有半导体衬底210和光接收部分220。例如,半导体衬底210是P型硅衬底。半导体衬底210的背面(与将在下面进行描述的互连层230相对的表面)对应于上述背面S1。在固态图像传感芯片20中,待成像物体与背面S1接触,在半导体衬底210中对透过该待成像物体的光进行光电转换,且由光电转换产生的电荷被光接收部分220收集。

在半导体衬底210中形成有多个光接收部分220。具体来说,光接收部分220形成在半导体衬底210的上表面侧上的表面层中。例如,光接收部分220可以由N型杂质扩散层制成。光接收部分220与相邻的半导体衬底210协同起到光电二极管的作用。

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