[发明专利]IBIIIAVIA族非晶相化合物的制造方法及其太阳能电池应用

权利要求书

1.一种IBIIIAVIA族非晶相化合物的制造方法，包括：

提供一混合溶液，其仅由含化学元素周期表的IB、IIIA、VIA族元素的前 驱物及水组成，其中该IB族元素的前驱物为铜或银的氯化物、硝酸盐或硫酸 盐的离子化合物，该IIIA族元素的前驱物为铝、铟或镓的氯化物、硝酸盐或 硫酸盐的离子化合物，该VIA族元素的前驱物为亚硒酸盐、亚硫酸盐或亚碲 酸盐的离子化合物；

加热所述混合溶液；

过滤所述混合溶液；以及

干燥过滤得到的沉淀物以获得一IBIIIAVIA族非晶相粉体。

2.根据权利要求1所述的IBIIIAVIA族非晶相化合物的制造方法，还包 括在干燥过滤得到的沉淀物前，以一洗涤剂洗涤所述过滤得到的沉淀物，所述 洗涤剂为去离子水或乙醇。

3.根据权利要求1所述的IBIIIAVIA族非晶相化合物的制造方法，其中 所述IBIIIAVIA族非晶相粉体应用于薄膜太阳能电池。

4.根据权利要求3所述的IBIIIAVIA族非晶相化合物的制造方法，其中 所述薄膜太阳能电池包括IBIIIAVIA族薄膜太阳能电池或高分子薄膜太阳能 电池。

5.根据权利要求1所述的IBIIIAVIA族非晶相化合物的制造方法，其中 所述IBIIIAVIA族非晶相粉体是用以作为一IBIIIAVIA族晶相结构的前驱物。

6.根据权利要求5所述的IBIIIAVIA族非晶相化合物的制造方法，其中 所述IBIIIAVIA族晶相结构具有黄铜矿结构。

7.根据权利要求5所述的IBIIIAVIA族非晶相化合物的制造方法，其中 所述IBIIIAVIA族晶相结构与一导电高分子混合应用于高分子薄膜太阳能电 池中。

8.根据权利要求7所述的IBIIIAVIA族非晶相化合物的制造方法，其中 所述导电高分子是选自于由用聚苯乙烯磺酸掺杂的聚(3,4乙撑基二氧噻吩)、 聚噻吩、聚吡咯、以及聚苯胺所组成的群组。

9.根据权利要求5所述的IBIIIAVIA族非晶相化合物的制造方法，其中 是利用锻烧所述IBIIIAVIA族非晶相粉体的方式将所述非晶相粉体转换成所 述IBIIIAVIA族晶相结构。

10.一种应用于薄膜太阳能电池的IBIIIAVIA族黄铜矿结构晶相膜的制造 方法，包括：

提供一混合溶液，其仅由含化学元素周期表的IB、IIIA、VIA族元素的前 驱物及水组成，其中该IB族元素的前驱物为铜或银的氯化物、硝酸盐或硫酸 盐的离子化合物，该IIIA族元素的前驱物为铝、铟或镓的氯化物、硝酸盐或 硫酸盐的离子化合物，该VIA族元素的前驱物为亚硒酸盐、亚硫酸盐或亚碲 酸盐的离子化合物；

加热所述混合溶液；

洗涤并过滤所述混合溶液；

干燥过滤得到的沉淀物以获得一纳米IBIIIAVIA族非晶相粉体；以及

煅烧所述IBIIIAVIA族非晶相粉体，以将所述非晶相粉体转换成黄铜矿结 构晶相膜。

11.根据权利要求10所述的IBIIIAVIA族黄铜矿结构晶相膜的制造方法， 其中所述IBIIIAVIA族黄铜矿结构晶相粉体是用作一薄膜太阳能电池中的光 电转换组件。

12.根据权利要求10所述的IBIIIAVIA族黄铜矿结构晶相膜的制造方法， 还包括在干燥过滤得到的沉淀物前，以一洗涤剂洗涤所述过滤得到的沉淀物， 所述洗涤剂为去离子水或乙醇。

13.根据权利要求10所述的IBIIIAVIA族黄铜矿结构晶相膜的制造方法， 其中所述IBIIIAVIA族黄铜矿结构与一导电高分子混合应用于高分子薄膜太 阳能电池中。

14.根据权利要求13所述的IBIIIAVIA族黄铜矿结构晶相膜的制造方法， 其中所述导电高分子选自于由用聚苯乙烯磺酸掺杂的聚(3,4乙撑基二氧噻 吩)、聚噻吩、聚吡咯、以及聚苯胺所组成的群组。