[发明专利]半导体压力传感器及其制造方法、半导体装置和电子设备

权利要求书

1.一种半导体压力传感器，包括第一基板、层压于所述第一基板上的埋入绝缘膜、以及层压于所述埋入绝缘膜上的第二基板，在所述第二基板上层压形成有压电膜和电极，除去与在所述第二基板上配置有所述压电膜和所述电极的区域对应的所述第一基板的至少一部分，所述半导体压力传感器的特征在于，所述电极包括：下部电极，形成在所述第二基板上；以

及上部电极，形成于层压在所述下部电极上的所述压电膜上，其中，所述上部电极至少设置有两个以上。

2.根据权利要求1所述的半导体压力传感器，其特征在于，所述上部电极包括：

中心电极，设置在所述压电膜上的电极形成区域的大致中心部位；以及

外部电极，与所述中心电极分开设置，并且以包围所述中心电极的方式形成。

3.根据权利要求2所述的半导体压力传感器，其特征在于，所述外部电极设置有多个。

4.根据权利要求2或3所述的半导体压力传感器，其特征在于，所述外部电极形成为环状。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体压力传感器，其特征在于，所述第一基板和所述第二基板包括硅或者同等的半导体材料。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体压力传感器，其特征在于，所述埋入绝缘膜是硅氧化膜或者同等的半导体氧化膜。

7.一种半导体装置，包括第一基板、层压在所述第一基板上的埋入绝缘膜、以及层压在所述埋入绝缘膜上的第二基板，具有压力传感器区域，所述压力传感器区域通过在所述第二基板上层压形成有压电膜和电极、且除去与在所述第二基板上配置有所述压电膜和所述电极的区域对应的所述第一基板的至少一部分而形成，

所述半导体装置的特征在于，

所述电极包括：下部电极，形成在所述第二基板上；以及上部电极，形成于层压在所述下部电极上的所述压电膜上，

至少设置有两个以上所述上部电极，

在所述埋入绝缘膜上形成有半导体电路，所述半导体电路与所述电极的各个电极电连接，且检测施加在所述压电膜上的压力，并输出压力检测信号。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述上部电极包括：

中心电极，设置在所述压电膜上的电极形成区域的大致中心部位；以及

外部电极，与所述中心电极分开设置，并且以包围所述中心电极的方式形成。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，所述外部电极设置有多个。

10.根据权利要求8或9所述的半导体装置，其特征在于，所述外部电极形成为环状。

11.根据权利要求7至10中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第一基板和所述第二基板包括硅或者同等的半导体材料。

12.根据权利要求7至11中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述埋入绝缘膜是硅氧化膜或者同等的半导体氧化膜。

13.一种半导体压力传感器的制造方法，所述半导体压力传感器按照在第一基板上层压埋入绝缘膜和第二基板的顺序而形成，在所述第二基板上层压形成有压电膜和电极，而且，除去与在所述第二基板上配置有所述压电膜和所述电极的区域对应的所述第一基板的至少一部分，所述半导体压力传感器的制造方法的特征在于，

作为所述电极，在所述第二基板上形成下部电极，而且，在层压在所述下部电极上的所述压电膜上至少形成有两个以上的上部电极，

通过反应性溅射法形成所述压电膜，

将所述埋入绝缘膜作为蚀刻阻挡层，蚀刻除去与在所述第二基板上配置有所述压电膜和所述电极的区域对应的所述第一基板的至少一部分。

14.一种电子设备，其特征在于，包括：根据权利要求1至6中任一项所述的半导体压力传感器，或者根据权利要求7至12中任一项所述的半导体装置。