[发明专利]半芯片封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种芯片封装结构，其特征在于：该结构包括：

散热基板；

芯片，配置于该散热基板上；以及

异质接合导热缓冲层，配置于该散热基板与该芯片之间，其中该异质接合导热缓冲层包括多个垂直于该散热基板配置的柱状体，且各该柱状体的深宽比介于3∶1到50∶1之间。

2.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于：该异质接合导热缓冲层的材料包括锡或铜。

3.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于：该异质接合导热缓冲层的所述柱状体的截面包括圆形、方形、三角形或菱形。

4.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于：该异质接合导热缓冲层的所述柱状体呈阵列分布。

5.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于：该异质接合导热缓冲层的高度为长度或宽度的1/5～1/10。

6.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于：该异质接合导热缓冲层还包括连接层，连接所述柱状体的顶部。

7.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于：还包括接合层，配置在该芯片与该异质接合导热缓冲层之间。

8.如权利要求7所述的芯片封装结构，其特征在于：该接合层的材料和该异质接合导热缓冲层的材料相同。

9.如权利要求7所述的芯片封装结构，其特征在于：该接合层的材料和该异质接合导热缓冲层的材料不同。

10.如权利要求7所述的芯片封装结构，其特征在于：该接合层的材料包括锡、铜、金、银或金锡合金。

11.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于：还包括填充物，配置在该异质接合导热缓冲层的所述柱状体之间。

12.如权利要求11所述的芯片封装结构，其特征在于：该填充物的材料包括金属粉粒材料或高分子材料。

13.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于：该芯片包括太阳能电池芯片或发光二极管芯片。

14.一种芯片封装结构的制造方法，其特征在于：该制造方法包括：

提供散热基板；

于该散热基板上形成异质接合导热缓冲层，其中该异质接合导热缓冲层包括垂直于该散热基板配置的多个柱状体；以及

于该异质接合导热缓冲层上接合芯片。

15.如权利要求14所述的芯片封装结构的制造方法，其特征在于：形成该异质接合导热缓冲层的方法包括利用微机电电铸技术或纳米技术。

16.如权利要求15所述的芯片封装结构的制造方法，其特征在于：利用微机电电铸技术形成该异质接合导热缓冲层的步骤包括：

在该散热基板上形成金属种子层；

在该金属种子层上形成光致抗蚀剂层，该光致抗蚀剂层具有多个开口，且各开口的深宽比介于3∶1到50∶1之间；

对该金属种子层进行第一次电铸工艺，以于该光致抗蚀剂层的所述开口中形成所述柱状体；以及

移除该光致抗蚀剂层，以形成该异质接合导热缓冲层。

17.如权利要求16所述的芯片封装结构的制造方法，其特征在于：还包括对该异质接合导热缓冲层进行第二次电镀工艺，以加粗该异质接合导热缓冲层的各该柱状体。

18.如权利要求16所述的芯片封装结构的制造方法，其特征在于：对该金属种子层进行该第一次电镀工艺还包括增加电铸时间，使所述柱状体持续往该光致抗蚀剂层的所述开口外生长，而在该光致抗蚀剂层上形成连接所述柱状体的顶部的连接层。

19.如权利要求15所述的芯片封装结构的制造方法，其特征在于：利用微机电电铸技术形成该异质接合导热缓冲层的步骤包括：

在该散热基板上形成光致抗蚀剂层，该光致抗蚀剂层具有多个开口，且各开口的深宽比介于3∶1到50∶1之间；

对该散热基板进行第一次电铸工艺，以于该光致抗蚀剂层的所述开口中形成所述柱状体；以及

移除该光致抗蚀剂层，以形成该异质接合导热缓冲层。

20.如权利要求19所述的芯片封装结构的制造方法，其特征在于：还包括对该异质接合导热缓冲层进行第二次电镀工艺，以加粗该异质接合导热缓冲层的各该柱状体。