[发明专利]瞬态侦测电路

说明书

技术领域

本发明有关于一种瞬态侦测电路(transient detection circuit)，特别是有关于 一种用以侦测静电放电(electrostatic discharge；ESD)的瞬态侦测电路。

背景技术

对于集成电路而言，静电放电(Electrostatic discharge；ESD)事件为可靠 度上相当重要的课题之一。为了符合元件层级(component-level)的ESD规范， 可将ESD保护电路加在CMOS IC的输入/输出单元(I/O cell)以及电源线(VDD 及VSS)之中。除此之外，针对CMOS IC产品，在元件层级ESD应力中，系 统层级(system level)的ESD可靠度逐渐受到重视。根据电磁兼容 (electromagnetic compatibility；EMC)规范，对于系统层级的ESD可靠度测试 需更将严格。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种瞬态侦测电路，用以侦测静电放 电事件。

为了实现上述目的，本发明提出一种瞬态侦测电路，耦接于一第一电源线 以及一第二电源线之间。该瞬态侦测电路包括，一第一控制单元、一设定单元、 一稳压单元以及一重置单元。第一控制单元产生一第一控制信号。当一静电放 电事件发生时，该第一控制信号为一第一位准。当该静电放电事件未发生时， 该第一控制信号为一第二位准。设定单元用以设定一第一节点。当该第一控制 信号为该第一位准，该第一节点被设定成该第二位准。稳压单元用以维持该第 一节点的位准。当该第一控制信号为该第二位准时，该第一节点被维持在该第 二位准。重置单元用以使该第一节点为该第一位准。

利用本发明的瞬态侦测电路，使用者可根据节点的位准，得知是否发生静 电放电事件，从而更加严格地测试静电放电的可靠度。

为让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举出 较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下：

附图说明

图1为本发明的瞬态侦测电路的一可能实施例；

图2～6为本发明的瞬态侦测电路的其它可能实施例。

【主要组件符号说明】

100、400：瞬态侦测电路；

101、102：电源线；

110、150、410、450：控制单元；

120、320、420、620：设定单元；

130、330、430、630：稳压单元；

111、412：电阻器；

112、411：电容器；

113、160、413、460：节点；

121、331、341、431、441、622：P型晶体管；

131、141、322、421、631、641：N型晶体管；

140、340、440、640：重置单元；

151、321、451、621：反相器；

170、470：缓冲模块；

171、172、251、252、471、472、551、552：缓冲器；

250、550：控制电路。

具体实施方式

图1为本发明的瞬态侦测电路的一可能实施例。如图所示，瞬态侦测电路 100耦接于电源线101以及102之间，用以侦测ESD事件。瞬态侦测电路100 包括控制单元110、设定单元120、稳压单元130。控制单元110产生控制信 号S_C1。当ESD事件发生时，控制信号S_C1为一第一位准(level)。当ESD事件 未发生时，控制信号S_C1为一第二位准。第一位准相对于第二位准。举例而言， 当第一位准为高位准时，则第二位准为低位准。当第一位准为低位准时，则第 二位准为高位准。

在本实施例中，控制单元110包括电阻器111以及电容器112。电容器112 与电阻器111均耦接节点113，并与电阻器111串联于电源线101及102之间。 电阻器111的阻抗及电容器112的容值可定义一延迟系数。该延迟系数大于 ESD脉冲时间并且小于电源线101上电源信号的初始上升时间。因此，控制 信号S_C1的变化会比ESD脉冲缓慢。