[发明专利]有机电致发光显示装置及其驱动方法有效
| 申请号: | 200810184045.3 | 申请日: | 2008-12-15 |
| 公开(公告)号: | CN101572054A | 公开(公告)日: | 2009-11-04 |
| 发明(设计)人: | 金镇亨;河元奎;金学洙;白收珍 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 电致发光 显示装置 及其 驱动 方法 | ||
本申请要求享受于2008年4月30日在韩国提交的韩国专利申请No. 10-2008-0040472的优先权,这里将该申请引入作为参考。
技术领域
本申请涉及一种有机电致发光显示装置,尤其涉及一种有机电致发光显示 装置及驱动该显示装置的方法。
背景技术
已经提出和发展了有机电致发光显示(OELD)装置,用于解决液晶显示 (LCD)装置不能自发光的问题。OELD装置是一种可自发光的显示装置,它 通过电激励荧光有机化合物的方式来发光。OELD装置可由低压驱动,且其厚 度相对较薄。在每个像素中包含作为开关元件的薄膜晶体管的OELD装置, 可称为有源矩阵OELD(AMOELD)装置。
图1是根据相关技术第一实施方式的有机电致发光显示装置的像素结构 图,图1所示的像素包括两个晶体管和一个电容器。
在图1中,像素包括开关晶体管SW、电容器C、驱动晶体管DR和有机 发光二极管OLED。开关晶体管SW和驱动晶体管DR都是含有非晶硅(a-Si:H) 的薄膜晶体管,且都是NMOS(n沟道金属氧化物半导体)晶体管。
开关晶体管SW的栅极连接到扫描线S,源极连接到数据线D。电容器C 的一个电极连接到开关晶体管SW的漏极,另一个电极连接到可以为接地电位 的基础电压(base voltage)VSS。驱动晶体管DR的栅极连接到开关晶体管SW 的漏极和电容器C的一个电极,驱动晶体管DR的源极连接到基础电压VSS, 漏极连接到有机发光二极管OLED的阴极。有机发光二极管OLED的阳极连 接到提供驱动电压的电源线VDD上。
下面将结合图2,说明具有图1所示像素结构的有机电致发光显示装置的 驱动方法。图2所示是图1中有机电致发光显示装置的时序图。
开关晶体管SW由正选择电压VGH导通,该正选择电压从栅极驱动电路 (未绘示)供应到第n条扫描线S(n)(n是自然数),由提供给数据线D的数 据电压Vdata向电容器C充电。因为驱动晶体管DR是n型沟道,所以数据电 压Vdata是正的。流经驱动晶体管DR沟道的电流强度,取决于储存在电容器 C内的数据电压Vdata与驱动电压VDD之间的电位差,有机发光二极管OLED 根据电流强度来发光。
在两个晶体管和一个电容器的像素结构中,为了在施加数据电压Vdata之 后持续保持驱动晶体管DR导通,含有非晶硅(a-Si:H)的驱动晶体管DR接 收储存在电容器C中的正电压。这加速了驱动晶体管DR的退化,引起驱动晶 体管DR的阈值电压和迁移率的改变。因此,供应到有机发光二极管OLED上 的电流不稳定,同时降低了显示图像的质量。
为了解决上述问题,提出了另外一种像素结构。
图3是根据相关技术第二实施方式的有机电致发光显示装置的像素结构 图,图4是图3中有机电致发光显示装置的时序图。图3所示是含有四个晶体 管和两个电容器的像素,图3所示像素包括两个相互对称的部分,每个部分都 含有图1所示的两个晶体管和一个电容器(2T-1C)的结构。图3所示的晶体 管是NMOS晶体管。
通过在另一2T-1C部分的响应时间里,施加负电压到2T-1C部分的驱动 晶体管上,来补偿退化,且在每一帧中交替进行退化补偿。
参照图3和图4,一段扫描时间1ST被分成两部分,且第一扫描信号Vg1 和第二扫描信号Vg2连续地施加到第一扫描线S1和第二扫描线S2上。
在偶数帧中,在施加第一扫描信号Vg1的时间期间,通过第一开关晶体 管SW1和第一驱动晶体管DR1将具有常规电平(normal level)的数据电压 Vdata施加给像素。之后,在施加第二扫描信号Vg2的时间t1和t2期间,通 过第二开关晶体管SW2施加具有负电压值的数据电压Vdata,从而补偿第二 驱动晶体管DR2的退化。
类似地,在奇数帧中,在施加第二扫描信号Vg2的时间期间,通过第二 开关晶体管SW2和第二驱动晶体管DR2将具有常规电平的数据电压Vdata施 加给像素上。之后,在施加第一扫描信号Vg1的时间t3和t4期间,通过第一 开关晶体管SW1施加具有负电压值的数据电压Vdata,从而补偿第一驱动晶 体管DR1的退化。
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