[发明专利]嵌制电源热插拔所造成电压突波的电路及相关芯片有效

专利信息
申请号: 200810183965.3 申请日: 2008-12-16
公开(公告)号: CN101656416A 公开(公告)日: 2010-02-24
发明(设计)人: 陈昆民;邓子正;蔡明融;黎清胜 申请(专利权)人: 茂达电子股份有限公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 任永武
地址: 台湾省新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 电源 热插拔 造成 电压 电路 相关 芯片
【权利要求书】:

1.一种用于一电子装置的电压突波嵌制电路,用以嵌制电源热插拔所造成的 一电压突波,其特征在于包含有:

一缓冲单元,耦接于一输入电源端,用来接收该电压突波的一突波电流;以 及

一嵌制单元,耦接于输入电源端与该缓冲单元,用来根据该输入电源端的一 输入电压,控制该缓冲单元接收该突波电流;其中,该缓冲单元包含有:

一高端控制单元,用来产生多个高端控制信号;

一低端控制单元,用来产生多个低端控制信号;以及

多个缓冲电路,每一缓冲电路包含有:

一高端开关,包含有一输入端,耦接于该输入电源端,一输出端,以及一受 控端,耦接于该高端控制单元,用来根据该多个高端控制信号中一高端控制信号, 将该输入端所接收的电流导通至该输出端;以及

一低端开关,包含有一输入端,耦接于该高端开关的该输出端,一输出端, 耦接于一地端,以及一受控端,耦接于该低端控制单元,用来根据该多个低端控制 信号中一低端控制信号,将该输入端所接收的电流导通至该输出端。

2.根据权利要求1所述的电压突波嵌制电路,其特征在于该高端开关是一P 型金属氧化物半导体晶体管,该高端开关的该输入端是一源极,该高端开关的该输 出端是一漏极,以及该高端开关的该受控端是一栅极。

3.根据权利要求1所述的电压突波嵌制电路,其特征在于该低端开关是一N 型金属氧化物半导体晶体管,该低端开关的该输入端是一漏极,该低端开关的该输 出端是一源极,以及该低端开关的该受控端是一栅极。

4.根据权利要求1所述的电压突波嵌制电路,其特征在于该嵌制单元包含有:

一参考电压产生器,用来提供一参考电压信号;

一分压电路,耦接于该输入电源端与该地端,用来提供该输入电压的一分压;

一运算放大器,包含有一正输入端,用来接收该输入电压的该分压,一负输 入端,用来接收该参考电压信号,及一输出端,用来根据该正输入端与该负输入端 的信号,输出一第一嵌制控制信号;

一补偿电容,耦接于该输入电源端与运算放大器的该输出端;

多个高端驱动单元,每一高端驱动单元包含有一第一端,耦接于该高端开关 的该受控端,一第二端耦接于该地端,以及一第三端,耦接于该运算放大器的该输 出端,用来根据该第一嵌制控制信号,控制该高端开关导通来接收该突波电流;以 及

一低端驱动单元,耦接于该运算放大器的该输出端,用来根据该第一嵌制控 制信号,输出一第二嵌制控制信号至该低端控制单元,以控制该低端开关的导通状 态。

5.根据权利要求4所述的电压突波嵌制电路,其特征在于该多个高端驱动单 元的每一高端驱动单元是一N型金属氧化物半导体晶体管,该第一端是一漏极, 该第二端是一源极,以及该第三端是一栅极。

6.根据权利要求4所述的电压突波嵌制电路,其特征在于该低端驱动单元包 含有:

一第三分压电阻,耦接于该输入电源端;

一转换单元,包含有一第一端,耦接于该第三分压电阻,一第二端耦接于该 地端,以及一第三端,耦接于该运算放大器的该输出端,用来根据该第一嵌制控制 信号,输出一第二嵌制控制信号,以控制该低端开关的导通状态;以及

一缓冲器,耦接于该转换单元与该低端控制单元,用来接收该第二嵌制控制 信号,并将该第二嵌制控制信号输出至该低端控制单元。

7.根据权利要求6所述的电压突波嵌制电路,其特征在于该转换单元是一N 型金属氧化物半导体晶体管,该第一端是一漏极,该第二端是一源极,以及该第三 端是一栅极。

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