[发明专利]光刻装置的浸没损坏控制有效
| 申请号: | 200810183314.4 | 申请日: | 2006-06-28 |
| 公开(公告)号: | CN101424884A | 公开(公告)日: | 2009-05-06 |
| 发明(设计)人: | F范德穆伦;HHM考克西;M侯克斯;RJ范维烈特;S尼蒂亚诺夫;PWJM坎帕;RPH哈尼格拉夫 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 王波波 |
| 地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光刻 装置 浸没 损坏 控制 | ||
1.一种光刻装置,包括:
构造成保持基底的基底台;
配置成将带图案的辐射光束投影到基底靶部上的投影系统;
将浸没液体提供到投影系统的下游透镜和基底之间的空间的流体供给系统;以及
检测浸没流体从流体供给系统的泄漏的泄漏检测系统,所述泄漏检测系统包括布置在流体供给系统的潜在泄漏区的两个相互绝缘的电导体,所述泄漏检测系统构造成通过测量相互绝缘的电导体之间的电容来检测泄漏;
其中,两个电导体包括两个同心的环状导体;
保持浸没流体的容器定位成与所述两个电导体同心,并且由所述两个电导体所围绕。
2.如权利要求1所述的光刻装置,其中电导体通过大体上不导电的层与潜在泄露的浸没流体隔开。
3.如权利要求2所述的光刻装置,其中大体上不导电的层包括塑料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司,未经ASML荷兰有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810183314.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:外添加剂、静电荷图像显影用调色剂以及图像形成方法
- 下一篇:图案形成方法





