[发明专利]太阳能级6寸单晶硅片切割工艺方法

权利要求书

1.一种太阳能级6寸单晶硅片切割工艺方法，具体包括粘棒 工艺、配浆工艺、线切割工艺：

粘棒工艺：首先清洁单晶硅棒粘接面，然后用胶水分别粘接定位 条和玻璃、玻璃和单晶硅棒，粘棒之后要进行压棒，压好后继续粘接 下一套棒；

配浆工艺：a、配浆之前要把所需配的碳化硅微粉放入烘箱内至少 8个小时，温度设定在70～80℃，至少在配浆前1小时取出冷却；

所述的配浆工艺中，配浆用的切削液，要保存于环境温度为23 ℃～27℃范围内、湿度控制在60％以内，粘度在26～30范围内；所述 的配浆工艺中，配好的浆料必须存放于环境温度在23℃～27℃、湿度 在60％的范围内，密度控制在1.625～1.635范围内，粘度在40～60范 围内；

b、配置浆料的时候，将碳化硅微粉慢慢倒入砂浆搅拌桶并充分搅 拌均匀；

线切割工艺：镀铜切割线的直径为0.1mm，并且线速度在 9.3～10.5m/s，工件的进给速度不超过0.3mm/s，砂浆的流量不超过 3100L/h。

2.根据权利要求1所述的太阳能级6寸单晶硅片切割工艺方 法，其特征在于，所述粘棒工艺中，胶水按照1∶1的比例进行 调配，并且调胶速度要快，不得超过3min。

3.根据权利要求1所述的太阳能级6寸单晶硅片切割工艺方 法，其特征在于，粘棒之后采用10kg左右的重物进行压棒，持续至 少6小时。

4.根据权利要求1所述的太阳能级6寸单晶硅片切割工艺方 法，其特征在于，配浆的比例控制在砂∶液＝1∶0.92。