[发明专利]包括碳化硅的半导体处理部件及其化学处理方法

权利要求书

1、一种从碳化硅部件表面去除由于机械加工受损的碳化硅晶体结构的方法，包括：

由液体氧化剂处理所述部件的碳化硅表面，其中所述处理将碳化硅转化成二氧化硅；以及

由液体处理去除所述二氧化硅，

其中，所述碳化硅表面的所述处理和所述二氧化硅的所述去除每个都执行至少一次，或者可依次重复执行多次。

2、如权利要求1所述的方法，其中，在由所述液体氧化剂对所述碳化硅表面进行所述处理之前，露出所述碳化硅部件的所述表面以使得所述表面更容易由所述液体氧化剂进行所述处理，其中，露出所述表面通过使用等离子蚀刻或液体蚀刻剂二者之一来完成，其中所述蚀刻剂是非氧化剂或氧化剂二者之一。

3、如权利要求1所述的方法，其中，从所述部件表面去除的碳化硅的量为深度至少0.05μm。

4、如权利要求3所述的方法，其中，所述深度范围为约1μm到50μm。

5、如权利要求4所述的方法，其中，所述深度范围为约1μm到5μm。

6、如权利要求1所述的方法，其中，由所述液体氧化剂对所述碳化硅表面进行的所述处理在约20℃到约200℃的温度范围内在超声波浴液内进行，时间段范围为约1小时到约100小时。

7、如权利要求6所述的方法，其中，由所述液体氧化剂对所述碳化硅表面进行的所述处理的时间段的范围为约1小时到约40小时。

8、如权利要求7所述的方法，其中，所述二氧化硅的所述去除在约20℃到约200℃的温度范围内在超声波浴液内进行，时间段范围为约5分钟到约100小时。

9、如权利要求8所述的方法，其中，由所述液体氧化剂对所述碳化硅表面进行的所述处理与二氧化硅的所述去除依次重复循环处理至少2次。

10、如权利要求1所述的方法，其中，所述液体氧化剂从包括下列物质的组中选择：KMnO₄、HNO₃、HClO₄、H₂O+H₂O₂+NH₄OH、H₂O₂+H₂SO₄及其混合物。

11、如权利要求7所述的方法，其中，所述液体氧化剂从包括下列物质的组中选择：KMnO₄、HNO₃、HClO₄、H₂O+H₂O₂+NH₄OH、H₂O₂+H₂SO₄及其混合物。

12、如权利要求9所述的方法，其中，所述液体氧化剂从包括下列物质的组中选择：KMnO₄、HNO₃、HClO₄、H₂O+H₂O₂+NH₄OH、H₂O₂+H₂SO₄及其混合物。

13、如权利要求10所述的方法，其中，所述氧化剂是KMnO₄。

14、如权利要求13所述的方法，其中，所述KMnO₄在蒸馏水中的浓度为约10％(重量)以完全浓缩在蒸馏水中。

15、如权利要求13所述的方法，其中，所述KMnO₄的浓度范围为KMnO₄在蒸馏水中占约10％(重量)到在蒸馏水中占约35％(重量)。

16、如权利要求10所述的方法，其中，所述氧化剂是H₂O₂+H₂SO₄。