[发明专利]数据存储单元及显示系统

说明书

技术领域

本发明涉及一种存储阵列的数据存储单元，特别涉及一种利用热载子应力存储数据的数据存储单元。

背景技术

在主动矩阵显示器中，需要存储与显示器的操作有关的数据。举例而言，显示画面所需的驱动电压，或是液晶材料的特性。如果主动矩阵显示器不需额外使用记忆装置，则可降低成本。

发明内容

本发明提供一种存储阵列，包括至少两数据存储单元。这些数据存储单元利用热载子应力损害存储数据。每一数据存储单元具有一第一端、一第二端以及一第三端。当第二及第三端之间的一第一跨压接近或大于一第一临界电压，并且第一及第三端之间的一第二跨压大于一第二临界电压时，这些数据存储单元为一第一写入操作。

当这些数据存储单元为一第一读取操作时，这些数据存储单元的第一跨压为一第一电压，并且检测由该第三端流向该第一端的一第一电流。由该第三端流向该第一端的该第一电流被一未应力电流分割，用以判断这些数据存储单元是否发生应力。

当这些数据存储单元为一第二读取操作时，该第一及第二端之间的一第一反相跨压为一第二电压，并且检测由该第一端流向该第三端的一第二电流。由该第一端流向该第三端的该第二电流被一未应力电流分割，用以判断这些数据存储单元是否发生应力。

本发明另提供一种显示系统，包括一存储阵列。存储阵列具有至少两数据存储单元。数据存储单元利用热载子应力损害存储数据。每一数据存储单元具有一第一端、一第二端以及一第三端。当第二及第三端之间的一第一跨压接近或大于一第一临界电压，并且第一及第三端之间的一第二跨压大于一第二临界电压时，数据存储单元为一第一写入操作。

为让本发明的上述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举出优选实施例，并配合附图，作详细说明如下：

附图说明

图1为本发明的晶体管在应力及测量下的示意图。

图2显示在第一读取操作下，晶体管的漏极与源极之间的跨压与漏极电流之间的关系曲线。

图3显示在第一读取操作下，应力前后的漏极电流的比例。

图4A为根据本发明的晶体管在应力(写入操作)下的示意图。

图4B为根据本发明的晶体管在反相测量(第二读取操作)下的示意图。

图5显示在第二读取操入下，漏极电流在发生应力前后的比例。

图6显示在第一次写入操作下，写入数据至晶体管的示意图。

图7显示在第二次写入操作下，写入数据至晶体管的示意图。

图8显示在第一次读取操作下，由晶体管读取数据的示意图。

图9显示在第二次读取操作下，由晶体管读取数据的示意图。

图10为本发明的存储阵列的示意图。

图11为存储阵列的实际布局的一可能实施例。

图12为利用热载子应力存储数据的存储阵列的一可能实施例。

图13为利用热载子应力存储数据的存储阵列的另一可能实施例。

图14为利用热载子应力存储数据的存储阵列的另一可能实施例。

图15为可显示画面的系统示意图。

【符号说明】

1000、1300：存储阵列；

Row1～RowN、RowN+1、RowN+2：列线；

Col1～Col N、Col M、Col M+1、Col M+2、Col M+3：行线；

Vcom：共通电极；

Sw：切换装置；

Sd：数据存储单元；

1200：矩阵存储阵列；

400：显示面板；

600：电子装置；

700：电源供应器。

具体实施方式