[发明专利]磁记录介质和磁记录装置

权利要求书

1、一种磁记录介质，该磁记录介质包括：

基片；

设置在所述基片上的软磁性衬垫层；

设置在所述软磁性衬垫层上的中间层；

设置在所述中间层上并且具有垂直磁各向异性的第一记录层；

设置在所述第一记录层上的交换耦合能量控制层，该交换耦合能量 控制层由粒状材料制成，在该粒状材料中向包括钌的金属添加了氧化物； 以及

设置在所述交换耦合能量控制层上的第二记录层，该第二记录层具 有垂直磁各向异性，并且经由所述交换耦合能量控制层与所述第一记录 层强磁性耦合。

2、根据权利要求1所述的磁记录介质，其中，所述氧化物是二氧化 硅。

3、根据权利要求2所述的磁记录介质，其中，所述二氧化硅是按3 个原子百分比到6个原子百分比的范围添加的，包括3个原子百分比和6 个原子百分比。

4、根据权利要求1所述的磁记录介质，其中，所述交换耦合能量控 制层的厚度在0.3nm到0.5nm的范围内，包括0.3nm和0.5nm。

5、根据权利要求1所述的磁记录介质，其中，所述粒状材料是通过 向所述氧化物添加钌而制成的。

6、一种磁记录装置，该磁记录装置包括：

磁记录介质；和

面对所述磁记录介质的磁头，

其中，所述磁记录介质包括：基片；设置在所述基片上的软磁性衬 垫层；设置在所述软磁性衬垫层上的中间层；设置在所述中间层上并且 具有垂直磁各向异性的第一记录层；设置在所述第一记录层上的交换耦 合能量控制层，该交换耦合能量控制层由粒状材料制成，在该粒状材料 中向包括钌的金属添加了氧化物；以及设置在所述交换耦合能量控制层 上的第二记录层，该第二记录层具有垂直磁各向异性，并且经由所述交 换耦合能量控制层与所述第一记录层强磁性耦合。