[发明专利]铜线及其制造方法以及具有该铜线的薄膜晶体管基板

权利要求书

1.一种铜线，包括：

形成于底层结构上的阻挡层；和

在所述阻挡层上的铜导电层，

其中所述阻挡层包括Cu₂O层和CuO_xN_y层中的至少之一，

其中，x和y为正数，

其中，所述阻挡层和铜导电层是通过在同一个室内溅射铜靶而形成的。

2.根据权利要求1所述的铜线，其特征在于，在所述阻挡层包括Cu₂O 层和CuO_xN_y层时，CuO_xN_y层形成在Cu₂O层下面，其中，x和y为正数。

3.一种薄膜晶体管基板，包括：

形成于基板上的多条栅极线，和形成于所述栅极线和栅极绝缘膜之间用以 定义像素区并垂直于所述栅极线的多条数据线；

形成于所述栅极线和数据线分别相交的区域的多个薄膜晶体管；和

形成于所述像素区并分别连接到所述薄膜晶体管的多个像素电极，

其中所述栅极线和数据线中的至少之一由所述铜线构成；其中所述铜线包 括形成于底层结构上的阻挡层和位于所述阻挡层上的铜导电层，其中所述阻挡 层包括Cu₂O层和CuO_xN_y层中的至少之一，

其中，x和y为正数，

其中，所述阻挡层和铜导电层是通过在同一个室内溅射铜靶而形成的。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，由所述铜线构 成的栅极线或数据线不具有置于其上的单独的覆盖层。

5.一种制造铜线的方法，包括如下步骤：

将基板放在其中设有铜靶的溅射室中；

使用O₂气体在所述基板上形成Cu₂O层；

去除O₂气体，并在仅有Ar气体存在的环境中，在同一个室内在Cu₂O层 上形成铜层；和

同时图案化所述铜层和Cu₂O层，以形成具有阻挡层和铜导电层的多层堆 叠结构的铜线。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在形成Cu₂O层的步骤中， 设置所述室的内部压力为2.0Pa以下。

7.一种制造铜线的方法，包括如下步骤：

将基板放在其中设有铜靶的溅射室；

通过一起使用O₂气体和N₂气体，或通过使用NO和NO₂气体中的至少之 一，在所述基板上形成CuO_xN_y层；

去除形成所述CuO_xN_y层时使用的气体，并在仅有Ar气体存在的环境中， 在同一个室内在CuO_xN_y层上形成铜层；和

同时图案化所述铜层和CuO_xN_y层，以形成具有阻挡层和铜导电层的多层 堆叠结构的铜线，

其中，x和y为正数。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括在形成铜层的步骤之前使用O₂气体形成Cu₂O层的步骤。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，N₂气体对O₂气体的流速 比N₂/O₂被设置在0.1～1的范围内。