[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

在半导体晶片上方涂覆栅极氧化物材料；

在所述栅极氧化物材料上方涂覆光刻胶材料；

在所述光刻胶材料上实施曝光工艺和第一显影工艺以形成光刻胶图样；

实施使用了所述光刻胶图样的刻蚀工艺以形成栅极氧化膜；以及然后

实施第二显影工艺以去除所述光刻胶图样。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述栅极氧化膜包括实施使用了缓冲氟化氢的湿法刻蚀工艺。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，在大约24℃到25℃之间的范围内的温度下进行实施使用了缓冲氟化氢的所述湿法刻蚀工艺。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，使用选自由硫磺酸、臭氧和超度含水溶液组成的组中的至少一种来实施所述第二显影工艺。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述光刻胶图样之后，实施所述第二显影工艺包括使用选自由硫磺酸、臭氧和超度含水溶液组成的组中的至少一种，而不需要另外的清洗工艺、烘干工艺和硬烘培工艺。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在向所述半导体晶片上方涂覆所述栅极氧化物材料之前，将所述半导体晶片放置在旋转卡盘上。

7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在向所述半导体晶片上方涂覆所述栅极氧化物材料之前，在所述半导体晶片上实施六甲基二硅胺烷工艺。

8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述栅极氧化物材料上方涂覆所述光刻胶材料之后，在所述半导体晶片的边缘处实施用于喷射溶剂的边缘球状物去除工艺以从所述半导体晶片的所述边缘处去除所述光刻胶材料。

9.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述光刻胶材料上实施所述曝光工艺和所述第一显影工艺以形成所述光刻胶图样之后，实施晶圆边缘曝光球状物去除工艺以从所述半导体晶片的边缘处去除所述光刻胶材料。

10.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

仅在实施所述第二显影工艺以去除所述光刻胶图样之后实施清洗工艺和烘干工艺。

11.一种方法，包括：

在半导体晶片上方形成氧化物材料；

在所述氧化物材料上方形成光刻胶材料；

通过在所述光刻胶材料上实施曝光工艺和第一显影工艺来形成光刻胶图样；

通过使用所述光刻胶图样作为掩膜在所述氧化物材料上实施刻蚀工艺来形成栅极氧化膜；以及然后

在形成所述栅极氧化膜之后，通过实施第二显影工艺去除所述光刻胶图样。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述刻蚀工艺包括湿法刻蚀工艺，所述湿法刻蚀工艺包括缓冲氟化氢。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述刻蚀工艺包括在大约24℃到25℃之间的范围内的温度下实施使用了缓冲氟化氢的湿法刻蚀工艺。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，使用选自由硫磺酸、臭氧和超度含水溶液组成的组中的至少一种来实施所述第二显影工艺。

15.根据权利要求11所述的方法，其中，在形成所述栅极氧化膜之后，使用选自由硫磺酸、臭氧和超度含水溶液组成的组中的至少一种来实施所述第二显影工艺，而不需要另外的清洗、烘干和硬烘培工艺。

16.根据权利要求11所述的方法，进一步包括，在形成所述氧化物材料之前，将所述半导体晶片固定在旋转卡盘上。

17.根据权利要求11所述的方法，进一步包括，在形成所述氧化物材料之前，先在所述半导体晶片上实施六甲基二硅胺烷工艺。

18.根据权利要求11所述的方法，进一步包括，在形成所述光刻胶材料之后，在所述半导体晶片的边缘处实施用于喷射溶剂的边缘球状物去除工艺以从所述半导体晶片的所述边缘处去除所述光刻胶材料。

19.根据权利要求11所述的方法，进一步包括，在形成光刻胶图样之后，实施晶圆边缘曝光球状物去除工艺以从所述半导体晶片的所述边缘处去除所述光刻胶材料。

20.根据权利要求11所述的方法，进一步包括，在去除所述光刻胶图样之后，实施清洗工艺和烘干工艺。