[发明专利]晶圆级芯片封装方法及封装结构有效
| 申请号: | 200810178977.7 | 申请日: | 2008-12-03 |
| 公开(公告)号: | CN101419952A | 公开(公告)日: | 2009-04-29 |
| 发明(设计)人: | 王之奇;俞国庆;邹秋红;王宥军;王蔚 | 申请(专利权)人: | 晶方半导体科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L27/146;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李 丽 |
| 地址: | 215126江苏省苏州市苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶圆级 芯片 封装 方法 结构 | ||
1.一种晶圆级芯片封装结构,包括基底、焊接凸点、芯片正面上的焊垫和光学传感器以及连接所述焊接凸点和焊垫的中介金属层,所述基底包括基板和基板上的环形空腔壁,其特征在于:所述芯片上设有从所述芯片背面通向所述焊垫的通孔,所述中介金属层在所述通孔内与所述焊垫连接,所述芯片的正面上的焊垫与基板上面的环形空腔壁相粘合,所述芯片与基板、空腔壁包围形成空腔,所述空腔密封包围光学传感器。
2.如权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构,其特征在于:所述通孔填充有水溶性电镀封闭漆。
3.如权利要求2所述的晶圆级芯片封装结构,其特征在于:形成所述水溶性电镀封闭漆的材料包含环氧类聚合物或丙烯酸。
4.如权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构,其特征在于:所述中介金属层远离所述芯片的一面上设有保护层。
5.如权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构,其特征在于:所述芯片为光学传感器芯片。
6.如权利要求5所述的晶圆级芯片封装结构,其特征在于:光学传感器设置在所述芯片的正面。
7.如权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构,其特征在于:所述中介金属层上形成有电路图形。
8.如权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构,其特征在于:所述中介金属层与所述芯片之间设有绝缘层。
9.如权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构,其特征在于:所述焊接凸点设在所述芯片的背面。
10.一种晶圆级芯片封装方法,其特征在于,包括步骤:
芯片的正面上设置有焊垫和光学传感器,基底包括基板和基板上的环形空腔壁,将所述芯片的正面上的焊垫与基板上的环形空腔壁粘合,所述芯片与基板、空腔壁包围形成空腔,所述空腔密封包围光学传感器;
刻蚀芯片背面至暴露芯片正面上的焊垫,形成通孔;
在芯片背面和所述通孔内形成中介金属层,所述中介金属层在所述通孔内与所述焊垫连接;
形成与所述中介金属层连接的焊接凸点。
11.如权利要求10所述的晶圆级芯片封装方法,其特征在于,在形成与所述中介金属层连接的焊接凸点之前还包括步骤:图形化中介金属层。
12.如权利要求10所述的晶圆级芯片封装方法,其特征在于,在形成中介金属层的步骤之前还包括步骤:在所述芯片的背面和所述通孔的侧壁上形成绝缘层。
13.如权利要求10所述的晶圆级芯片封装方法,其特征在于:所述焊接凸点形成在所述芯片的背面。
14.如权利要求10所述的晶圆级芯片封装方法,其特征在于,在形成中介金属层之后,形成焊接凸点之前还包括步骤:
在芯片的背面形成暴露所述通孔的掩模;
在通孔内电镀水溶性电镀封闭漆至填充所述通孔。
15.如权利要求14所述的晶圆级芯片封装方法,其特征在于:所述水溶性电镀封闭漆包含环氧类聚合物或丙烯酸。
16.如权利要求14所述的晶圆级芯片封装方法,其特征在于,在形成焊接凸点之前还包括步骤:在所述中介金属层表面形成保护层,所述保护层在预定形成焊接凸点的位置设有暴露中介金属层的开口。
17.如权利要求10所述的晶圆级芯片封装方法,其特征在于:所述芯片为光学传感器芯片。
18.如权利要求17所述的晶圆级芯片封装方法,其特征在于:光学传感器设置在所述芯片的正面。
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