[发明专利]真空气相沉积装置、真空气相沉积方法和气相沉积物

权利要求书

1.一种真空气相沉积装置，具有真空室、设置在所述真空室内的第一气相沉积源和第二气相沉积源、以及用于在所述真空室内将工件保持在固定状态的工件保持装置，所述工件具有将从所述第一气相沉积源和第二气相沉积源供给的第一气相沉积材料和第二气相沉积材料沉积于其上的表面，

所述真空气相沉积装置包括：

屏蔽件，所述屏蔽件定位在所述第一气相沉积源和由所述工件保持装置保持的所述工件之间，且引起在所述工件表面上所述第一气相沉积材料的气相沉积量小于所述第二气相沉积材料的气相沉积量；

屏蔽件驱动机构，所述屏蔽件驱动机构使所述屏蔽件绕第一轴线转动且使所述屏蔽件相对于第二轴线运动；以及

单个驱动源，所述驱动源通过所述屏蔽件驱动机构驱动所述屏蔽件。

2.如权利要求1所述的真空气相沉积装置，其特征在于，所述屏蔽件具有多个用于供所述第一气相材料穿过的开口。

3.如权利要求2所述的真空气相沉积装置，其特征在于，所述开口的表面积总和与所述屏蔽件的表面积之比为1％至50％。

4.如权利要求1至3中任一项所述的真空气相沉积装置，其特征在于，所述屏蔽件是盘，所述第一轴线垂直于所述屏蔽件的所述表面通过所述盘的中心，所述第二轴线平行于所述第一轴线，所述屏蔽件相对于所述第二轴线的所述运动是所述屏蔽件绕所述第二轴线的转动。

5.一种真空气相沉积方法，借助所述真空气相沉积方法将从设置在真空室内的第一气相沉积源和第二气相沉积源供给的第一气相沉积材料和第二气相沉积材料沉积于固定在所述真空室内的工件的表面上，

所述真空气相沉积方法包括以下步骤：

在所述第一气相沉积源和所述工件之间设置屏蔽件，所述屏蔽件屏蔽掉从所述第一气相沉积源供给的所述第一气相沉积材料的一部分；以及

使所述屏蔽件相对于彼此不同的两个或多个轴线运动。

6.如权利要求5所述的真空气相沉积方法，其特征在于，在包括所述屏蔽件的表面的平面内实施所述屏蔽件的所述运动。

7.如权利要求6所述的真空气相沉积方法，其特征在于，所述屏蔽件的所述运动包括如下步骤：绕第一轴线自转，以及绕平行于所述第一轴线的第二轴线公转。

8.如权利要求7所述的真空气相沉积方法，其特征在于，所述屏蔽件绕所述第一轴线的转动速度为1rpm至100rpm。

9.如权利要求7或8所述的真空气相沉积方法，其特征在于，所述屏蔽件绕所述第二轴线的转动速度为1rpm至100rpm。

10.如权利要求5或9中任一项所述的真空气相沉积方法，其特征在于，所述第一气相沉积材料在所述工件表面上的气相沉积速率为0.0001/秒至0.1/秒。

11.一种通过使用如权利要求1至4中任一项所述的真空气相沉积装置或通过如权利要求5至10中任一项所述的真空气相沉积方法获得的气相沉积物，其中，

所述第一气相沉积材料的气相沉积量与所述第二气相沉积材料的气相沉积量之比为1/1000或更小。