[发明专利]磁阻效应元件、磁头、磁记录再生装置、以及磁存储器

权利要求书

1.一种磁阻效应元件，其特征在于，包括：

3层以上的金属磁性层；

所述金属磁性层间设置的连接层；

以及使电流相对于所述金属磁性层和连接层的迭层体在垂直方向上导通的电极，

所述金属磁性层当中最底层或最顶层的金属磁性层的磁化方向被固定，中间的金属磁 性层的磁化方向扭转。

2.一种磁阻效应元件，其特征在于，包括：

3层以上的金属磁性层；

所述金属磁性层间设置的连接层；

以及使电流相对于所述金属磁性层和连接层的迭层体在垂直方向上导通的电极，

外部磁场为零时，中间的金属磁性层的磁化方向扭转以便最底层的金属磁性层的磁化 方向与最顶层的金属磁性层的磁化方向实质上正交。

3.如权利要求1或2所述的磁阻效应元件，其特征在于，所述金属磁性层当中，夹住 1层连接层的2层金属磁性层的磁化方向成30°～60°角度。

4.如权利要求1或2所述的磁阻效应元件，其特征在于，所述连接层由厚度为大于等 于0.5nm小于等于5.0nm的、包含由Co、Fe、Ni、Mn、Ti、V、以及Cr构成的组中选定 的至少一种元素的氧化物或氮化物所形成。

5.如权利要求4所述的磁阻效应元件，其特征在于，所述连接层由α-Fe₂O₃、或者具 有尖晶石晶体结构或反尖晶石晶体结构的γ-Fe₃O₄、或者XFe₂O₄所形成，其中X为Fe、 Co、Ni、Mn、Cr、Ti或V。

6.如权利要求1或2所述的磁阻效应元件，其特征在于，所述连接层由厚度为大于等 于0.5nm小于等于5nm的金属反铁磁性体所形成。

7.如权利要求6所述的磁阻效应元件，其特征在于，所述连接层由Mn和XMn构成 的组中选定的金属反铁磁性体所形成，其中X为Ni、Ir、Pt、Pd、Cr、Ru、或Rh。

8.如权利要求1或2所述的磁阻效应元件，其特征在于，所述连接层由包含Ti、Cr、 V中至少一种元素的金属层所形成。

9.如权利要求8所述的磁阻效应元件，其特征在于，所述连接层由厚度为大于等于 0.5nm小于等于5nm的金属层所形成。

10.如权利要求1或2所述的磁阻效应元件，其特征在于，所述金属磁性层由厚度为 大于等于0.5nm小于等于5nm的、包含由Co、Fe、以及Ni构成的组中选定的至少一种元 素的材料所形成。

11.一种磁头，其特征在于，具有权利要求1或2所述的磁阻效应元件。

12.一种磁记录再生装置，其特征在于，包括：

磁记录介质；以及

权利要求11所述的磁头。

13.一种磁存储器，其特征在于，具有权利要求1或2所述的磁阻效应元件。