[发明专利]图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

读出电路，位于第一衬底上；

金属互连件，连接至该读出电路；

低温沉积的金属层，位于该金属互连件上；以及

图像传感器件，位于该金属层上。

2.如权利要求1所述的图像传感器，其中该金属层通过光化学方法而形成。

3.如权利要求1所述的图像传感器，其中该金属层包括金。

4.如权利要求1所述的图像传感器，还包括电结区，位于该第一衬底上且电连接至该读出电路。

5.如权利要求4所述的图像传感器，其中该电结区包括：

第一导电类型离子注入区，位于该第一衬底上；以及

第二导电类型离子注入区，位于该第一导电类型离子注入区上。

6.如权利要求4所述的图像传感器，其中该读出电路包括晶体管，该电结区设置在该晶体管的一侧，使得该晶体管的源极和漏极之间存在电势差。

7.如权利要求6所述的图像传感器，其中该晶体管包括转移晶体管，并且该转移晶体管的源极的离子注入浓度低于浮置扩散区的离子注入浓度。

8.如权利要求4所述的图像传感器，还包括第一导电类型连接区，位于该电结区和该金属互连件之间。

9.如权利要求8所述的图像传感器，其中该第一导电类型连接区设置在该电结区的上部且电连接至该金属互连件。

10.如权利要求8所述的图像传感器，其中该第一导电类型连接区设置在该电结区的一侧且电连接至该金属互连件。

11.一种图像传感器的制造方法，包括如下步骤：

在第一衬底上形成读出电路；

在该读出电路上形成金属互连件；

在该金属互连件上形成以低温沉积的金属层；以及

在该金属层上形成图像传感器件。

12.如权利要求11所述的方法，其中形成该金属层的步骤包括在约150℃-170℃之间的低温下沉积金属。

13.如权利要求11所述的方法，其中该金属层包括金。

14.如权利要求13所述的方法，其中形成该金属层的步骤包括执行光化学沉积。

15.如权利要求14所述的方法，其中使用(CH₃)2Au[CH(COCF₃)₂]作为源来执行该光化学沉积。

16.如权利要求11所述的方法，还包括在该第一衬底上形成电结区，并且该电结区电连接至该读出电路。

17.如权利要求16所述的方法，其中形成该电结区的步骤包括：

在该第一衬底中形成第一导电类型离子注入区；以及

在该第一导电类型离子注入区上方形成第二导电类型离子注入区。

18.如权利要求16所述的方法，还包括在该电结区和该金属互连件之间形成第一导电类型连接区。

19.如权利要求18所述的方法，其中该第一导电类型连接区形成在该电结区的上部且电连接至该金属互连件。

20.如权利要求18所述的方法，其中该第一导电类型连接区形成在该电结区的一侧且电连接至该金属互连件。