[发明专利]有机EL显示装置及其制造方法无效
| 申请号: | 200810177764.2 | 申请日: | 2008-11-18 | 
| 公开(公告)号: | CN101442014A | 公开(公告)日: | 2009-05-27 | 
| 发明(设计)人: | 石井良典;加濑悟;松崎永二 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立显示器 | 
| 主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/52;H01L27/32;H01L23/02;H01L23/10 | 
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 杨宏军 | 
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 el 显示装置 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及有机EL显示装置,特别涉及抑制水分引起的黑点(dark spot)等发生、且可靠性高的有机EL显示装置及其制造方法。
背景技术
在有机EL显示装置中,在像素电极(下部电极)和上部电极之间 夹持有机EL层,对上部电极施加一定电压,对下部电极施加数据信号 电压,控制有机EL层的发光,由此形成图像。通过薄膜晶体管(TFT) 对下部电极供给数据信号电压。有机EL显示装置中包括使由有机EL 层发出的光从形成了有机EL层等的玻璃基板方向透出的底部发光型 (bottom emission)和从与形成了有机EL层等的玻璃基板相反的方向 透出的顶部发光型(top emission)。
如果存在水分,则用于有机EL显示装置的有机EL材料的发光特性 劣化,长时间工作时,因水分而劣化的地方不再发光。这表现为显示 区域的黑点。该黑点随时间而生长,成为图像缺陷。需要说明的是, 由于水分的影响,还发生所谓边缘生长(edge growth)的现象,即在 像素周围不发光的区域增加。
为了防止黑点等的发生或生长,必须防止水分浸入有机EL显示装 置内,或者除去浸入的水分。因此,在形成了有机EL层的元件基板的 周围设置密封剂,通过该密封剂,利用密封基板密封元件基板,防止 水分从外部浸入有机EL显示装置内。在密封的内部空间填充N2等惰性 气体。另一方面,为了除去进入有机EL显示装置内的水分,在有机 EL显示装置内设置干燥剂。将其称为中空密封型有机EL显示装置。
中空密封型有机EL显示装置存在以下问题:难以调整元件基板和 密封基板的间距(gap);难以调整被密封的空间内部的内压;利用 密封剂密封时,由密封剂释放的气体污染有机EL材料;生产量低等。
作为中空密封问题的对策,有下述技术,即在元件基板和密封基 板之间夹持膜厚固定的树脂片,利用该树脂片保护有机EL材料免受水 分的影响。将该技术称为固体密封。
在特开2004-139977号公报中公开了固体密封的例子,图16A~ 图16D是特开2004-139977号公报中公开的结构。在图16A~图16D中, 使用加热至80℃的压接辊105将形成于透光性膜110上的光固化树脂 120贴合在设置了有机EL层22的元件基板10上。然后,照射紫外线, 使光固化树脂120固化,剥离透光性膜110,由此得到被光固化树脂密 封的有机EL显示装置。还公开了根据需要,用氮化硅膜被覆有机EL 元件的结构。
在佐伯真也《日经电子学》2007年9月10日No.960PP10-11 中,作为有机EL显示装置的密封,记载了如图17A~图17E所示的下述 技术。即,在密封基板40的对应于有机EL元件22的部位贴合树脂膜 107,然后,在树脂膜107的周围描画密封剂108。粘合形成了树脂膜 107和密封剂108的密封基板40和形成了有机EL元件22的元件基板10。 然后,从密封基板40照射紫外线,在80℃~100℃下进行热处理,由此 固化密封剂108,同时,逐渐显示出流动性的树脂膜107在由密封基板 40、元件基板10及密封剂108形成的空间内扩展,将该空间填满。最 后分割成各个有机EL显示面板,完成有机EL显示装置的密封。
在特开2006-66364号公报中公开了下述结构,即在母基板上形 成多个显示元件,对多个显示元件一同形成密封膜,然后,通过激光 磨削保护膜,从端子部除去保护膜。图18A及图18B是特开2006- 66364号公报中记载的结构,在母基板206上形成多个具有发光部207 和端子部209的显示元件,用保护膜208被覆。然后,利用激光磨削 从端子部209的一部分210除去保护膜208,形成开口部210。
发明内容
特开2004-139977号公报中公开的技术记载了在各个有机EL显 示装置上贴合树脂片,保护有机EL层的结构,但是没有公开或暗示在 母基板上形成多个有机EL面板后进行分离的情况下,利用树脂片进行 被覆时的问题等。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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