[发明专利]高通滤波器

说明书

技术领域

本发明涉及一种由电容器和电阻电路构成的高通滤波器。

背景技术

为了在不同DC电平的电路之间进行连接，通常将耦合电容器用于DC切割。但是，在较低频率的音频带(20Hz～20kHz)等中，耦合电容器的电容值变得非常大。因此，难以在半导体集成电路中安装这种耦合电容器，而使用外置的电容器。

专利文献1：日本特开平7-321560号公报

发明内容

发明要解决的问题

在半导体集成电路中，存在最好尽量减少外置部件的要求。另外，在构成截止频率较低的高通滤波器的情况下，需要使电容器的容量或电阻的电阻值增大。

用于解决问题的方案

本发明的特征在于，包括：电容器，其一端接收输入信号，从另一端侧输出输出信号；以及电阻电路，其连接到该电容器的另一端侧，在电容器与电源之间作为电阻而发挥功能，上述电阻电路包括：PNP晶体管，其基极被连接到上述电容器的另一端；NPN晶体管，其基极被连接到上述电容器的另一端；以及差动放大器，其分别对这些PNP晶体管和NPN晶体管提供互补的电流，对上述差动放大器负反馈上述电容器的另一端侧的信号。

另外，优选为上述差动放大器具有一对差动晶体管，并且具有一对电流反射镜输入侧晶体管，使流过该一对差动晶体管的电流分别流过该一对电流反射镜输入侧晶体管，设置一对电流反射镜输出侧晶体管，该一对电流反射镜输出侧晶体管电流反射镜连接到该一对电流反射镜输入侧晶体管，将流过该电流反射镜输出侧晶体管的电流分别提供给上述PNP晶体管与NPN晶体管。

另外，优选为上述差动放大器具有提供该动作电流的恒定电流源，并对该恒定电流源进行脉冲驱动。

发明的效果

由此，根据本发明，PNP晶体管与NPN晶体管的基极电流的差分成为输出，因此能够作为电阻值较大的电阻电路而进行动作。

附图说明

图1是表示实施方式的结构的图。

附图标记说明

D1～D4：二极管；M1、M2：MOS晶体管；Tr1～Tr11：晶体管。

具体实施方式

下面，根据附图说明本发明的实施方式。

输入声音信号被输入到耦合电容器C1的一端，该耦合电容器C1的另一端被连接到差动放大器1的一侧的N型MOS晶体管M1的栅极。另一方面，对差动放大器1的另一侧的N型MOS晶体管M2的栅极提供基准电压Vref。MOS晶体管M1的源极被连接到NPN晶体管Tr30的基极，MOS晶体管M2的源极被连接到NPN晶体管Tr31的基极。另外，晶体管Tr30、Tr31的发射极被共用连接，并在此连接有恒定电流源。因此，该放大器1的晶体管Tr30、Tr31的电流根据输入信号而发生变化，并从这些晶体管Tr30或者Tr31的集电极侧得到输出。因此，输入声音信号通过差动放大器1被放大并输出。此外，差动放大器1为通常的放大器的结构，省略详细情况。

耦合电容器C1的另一端通过电阻R连接有PNP晶体管Tr1的基极和NPN晶体管Tr2的基极。晶体管Tr1的集电极接地，发射极连接到PNP晶体管Tr8的集电极。该晶体管Tr8的发射极通过二极管D1连接到电源。

另外，晶体管Tr2的集电极连接到电源，在发射极上连接有NPN晶体管Tr11的集电极，该晶体管Tr11的发射极接地。在晶体管Tr11的基极上连接有NPN晶体管Tr10的基极，该晶体管Tr10的发射极接地，集电极基极之间短路。因此，晶体管Tr10与Tr11构成电流反射镜。

在晶体管Tr10的集电极上连接有PNP晶体管Tr9的集电极，该晶体管Tr9的发射极通过二极管D2连接到电源。

在晶体管Tr8的基极上连接有PNP晶体管Tr4的基极。该晶体管Tr4的发射极通过二极管D3连接到电源，基极集电极之间短路。因此，晶体管Tr4与Tr8构成电流反射镜。另外，在晶体管Tr9的基极上连接有PNP晶体管Tr5的基极。该晶体管Tr5的发射极通过二极管D4连接到电源，基极集电极之间短路。因此，晶体管Tr5与Tr9构成电流反射镜。