[发明专利]D/A转换器

说明书

本申请是申请号为“200410049065.1”，申请日为“2004年6月11日”，发明名称为“D/A转换器”申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及把数字信号变换为模拟信号的D/A转换器，特别涉及可以进行在D/A转换器的晶片状态下的老化(burn in)试验的技术。

背景技术

近年来，为了发挥廉价的CMOS的优点，而盛行制造在1块芯片上混装数字电路和模拟电路的系统LSI。

在这种LSI中，在与LSI外部的接口单元(部分)上，甚至可以说是必须使用把模拟信号变换为数字信号的A/D转换器和把数字信号变换为模拟信号的D/A转换器。

特别是在影象用途和通信用途的LSI中，可以高速动作的电流输出型的D/A转换器是必不可少的。一般来说，该电流输出型的D/A转换器其构成是在使用条件上具有通用性。

具体地说，其构成是如可以和LSI实用条件一致地设定模拟输出电流和输出电压那样，从LSI外部连接输出负载用电阻器、电流值设定用电阻器，进而输入电流值设定用基准电压。

而且，为了隔离电流输出型的D/A转换器的初始不良，而在把经过扩散工序完成的晶片组装到封装中的状态下，实施老化试验(又称为封装老化)。

图6是现有电流输出型的D/A转换器100的电路图。而且，在此展示把3位的数字信号变换为模拟信号的情况。

在图6中，现有电流输出型的D/A转换器100由以下部分构成：基准电压输入端子VREF、基准电阻连接端子IREF；数字输入端子IN1～IN3；作为电压发生电路的偏置电路101；译码器102；电流源晶体管IS1～IS7；差动开关SW1～SW7；模拟输出端子OUT。

基准电压输入端子VREF是用于从被设置在外部的电压源103向偏置电路101给予基准电压的基准电压输入端子，另外，基准电阻连接端子IREF是用于连接偏置电路101和外部电阻104的连接端子。

偏置电路101是电压发生电路，是发生输入到基准电压输入端子VREF的来自电压源103的电压，和与连接在基准电阻连接端子IREF上的外部电阻104相应的偏置电压Vb的电路。

译码器102译码输入到数字输入端子IN1～IN3的3位数字信号，输出到差动开关控制信号D1～D7。

电源晶体管IS1～IS7是输出来自被施加在电流源晶体管IS1～IS7的栅极端子上的偏置电路101的与偏置电压Vb对应的电流的晶体管。

差动开关SW1～SW7是根据从译码器102输出的差动开关控制信号D1～D7进行切换的开关，把从电流源晶体管IS1～IS7输出的电流输出到模拟输出端子OUT或者接地电源VSS。

模拟输出端子OUT是输出与数字输入信号相应的模拟电流的端子。

而后，在封装老化这样构成的D/A转换器时，对基准电压输入端子VREF从外部电压源103输入规定的输出电压，在基准电阻连接端子IREF上连接具有规定电阻值的外部电阻102后，需要在模拟输出端子OUT上连接具有进行电流-电压变换的规定电阻值的输出负载电阻105。

即，在对现有D/A转换器的封装老化中，至少需要进行在电流输出型的D/A转换器的动作中所需要的输出负载用的外接电阻的连接，电流值设定用的外接电阻的连接，以及电流值设定用基准电压的外部施加。

但是，在这种封装老化中，因为在封装组装后需要进行老化试验，所以在作为初始不良需要隔离前需要作为封装组装，存在产生多余的成本、高价的封装消耗等的问题。

因而，为了降低成本，最近实施了在晶片状态下的老化试验(以下称为晶片电平老化)。该晶片电平老化，和封装老化不同，是通过在半导体芯片上的焊盘上直接连接电阻器和配线，在晶片状态下进行老化试验。

另外，作为晶片电平老化的另一实施例，是特开平6-5677号公报(以下，称为专利文献1)所示。如被展开在专利文献1的图2中那样，代替从晶片外部连接外接电阻等，采用在半导体晶片内的半导体芯片的周围形成电阻等的无源元件，电气连接该已形成的电阻等的无源元件和输入输出焊盘的方法。

专利文献1—特开平6-5677号公报(第3页第2图)

但是，在晶片电平老化时，由于半导体晶片上的焊盘间隔窄等的制约，往往不能确保在晶片上连接电阻和配线等的空间，因为不能进行输出负载用的外接电阻的连接、电流值设定用的外接电阻的连接，以及电流值设定用基准电压的外部施加，而存在着电流输出型的D/A转换器的晶片电平老化试验难以实施这样的问题。