[发明专利]以夹在金属层之间的倒装管芯为特征的半导体封装

权利要求书

1.一种用于半导体器件的封装，该封装包括：

第一金属层，其被配置为与功率器件管芯热连接；以及

第二金属层，其被设置在功率器件管芯的与所述第一金属层相反 的一侧上，所述第二金属层被配置为通过焊球接触与功率器件管芯表 面上的焊盘热连接和电连接，第一金属层或第二金属层包括从封装功 率器件管芯、焊球接触以及第一和第二金属层的至少一部分的塑料封 装体突出的集成引线。

2.根据权利要求1的封装，其中第一金属层还被配置为与功率 器件管芯电连接。

3.根据权利要求2的封装，其中第一金属层被配置为通过第二 焊球接触与功率器件管芯电连接。

4.根据权利要求1的封装，其中第一金属层的一部分露出塑料 封装体以形成散热器。

5.根据权利要求1的封装，其中第二金属层的一部分露出塑料 封装体以形成散热器。

6.根据权利要求1的封装，还包括第二功率器件管芯，其被配 置为与第二金属层的一部分电连接。

7.根据权利要求6的封装，其中第二金属层的同一部分被配置 为与第一功率器件管芯和第二功率器件管芯电连接。

8.根据权利要求7的封装，其中第二金属层的所述同一部分与 第一金属层垂直电连接。

9.根据权利要求7的封装，其中第一功率器件管芯是MOSFET 且第二金属层的所述同一部分被配置为与第一功率器件管芯的栅极 电连接。

10.根据权利要求6的封装，其中第二金属层被配置为在固定位 置处容纳焊球接触，并根据第一功率器件管芯的大小或形状在不同位 置处容纳到第一功率器件管芯的其他焊球接触。

11.根据权利要求6的封装，还包括第三功率器件管芯，其设置 在第二管芯之上或之下并具有通过焊球与第二功率器件管芯的焊盘 电连接的焊盘。

12.根据权利要求1的封装，其中功率器件管芯包括MOSFET 管芯，以及第二金属层包括被配置为与MOSFET管芯表面上的栅极 焊盘电连接的第一部分和被配置为与MOSFET管芯表面上的源极焊 盘电连接的第二部分。

13.根据权利要求12的封装，其中第一金属层被配置为与 MOSFET管芯的第二表面上的漏极热连接且电连接。

14.根据权利要求12的封装，其中引线与第二金属层集成在一 起。

15.根据权利要求1的封装，其中功率器件管芯包括IC管芯， 以及第二金属层包括被配置为与所述IC管芯表面上的相应焊盘电连 接的多个部分。

16.根据权利要求15的封装，其中第一金属层被配置为与所述 IC管芯的第二表面电连接。

17.根据权利要求1的封装，其中第二金属层的一部分限定了小 孔。

18.一种用于半导体器件的封装，该封装包括：

第一金属层，其被配置为与第一功率器件管芯的第一侧至少热连 接；

第二功率器件管芯，其位于第一功率器件管芯之上或之下，并通 过焊球接触与第一功率器件管芯的第二侧电接触；以及

第二金属层，其设置在第二功率器件管芯的与第一功率器件管芯 相反的一侧上，所述第二金属层被配置为与第二功率管芯至少热连 接，第一金属层或第二金属层包括集成引线，该集成引线从封装功率 器件管芯、焊球接触以及第一和第二金属层的至少一部分的塑料封装 体突出，其中第一功率器件管芯或第二功率器件管芯与第一金属层或 第二金属层电连接。

19.根据权利要求18的封装，其中第一功率器件管芯通过第二 焊球接触与第一金属层电连接。