[发明专利]制造芯片载体的方法无效

专利信息
申请号: 200810175553.5 申请日: 2008-11-07
公开(公告)号: CN101444899A 公开(公告)日: 2009-06-03
发明(设计)人: 李灿勇 申请(专利权)人: 株式会社SILTRON
主分类号: B24B41/06 分类号: B24B41/06;H01L21/673;H01L21/683
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人: 寿 宁;张华辉
地址: 韩国庆尚*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 制造 芯片 载体 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种制造芯片载体的方法,特别是涉及一种制造安装在用于对芯片的两个表面进行抛光的双面抛光设备处的芯片载体的方法,所述芯片插入所述芯片载体中以对所述芯片进行双面抛光的制造芯片载体的方法。

背景技术

当对芯片(即晶片,本文均称为芯片)的两个表面进行抛光时,使用如图1和图2所示的双面抛光设备。请参阅图1和图2,图1是常规芯片载体的剖面示意图,图2是图1所示的常规芯片载体的平面图,其中多个芯片载体安装在下板上。常规抛光设备9包含上板1和下板3,上板1和下板3在相反方向上旋转。抛光垫2和4附着在上板1的下表面和下板3的上表面上,以分别对芯片w的上表面和下表面进行抛光。另外,多个芯片载体5支撑并安装在上板1与下板3之间,如图2所示。芯片载体5中的每一者(其具有圆盘形状)包含芯片保持孔6,芯片w插入并保持在所述芯片保持孔6中,且五个浆液引入孔8安置在芯片保持孔6周围,且彼此具有不同的大小。

同时,最近为了增加芯片载体5的抗磨损性,已用类金刚石碳(diamond-like carbon,DLC)涂覆该芯片载体5。

然而,如图3中所示,由于芯片载体以DLC来涂覆到形成于芯片载体中的芯片保持孔的内表面,所以在芯片的双面抛光期间,芯片的边缘可能接触DLC涂层。因此,芯片的边缘可能受DLC涂层损坏,从而导致芯片的缺陷。

由此可见,上述现有的制造芯片载体的方法在方法与使用上,显然仍存在有不便与缺陷,而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题,相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道,但长久以来一直未见适用的设计被发展完成,而一般方法又没有适切的方法能够解决上述问题,此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新的制造芯片载体的方法,实属当前重要研发课题之一,亦成为当前业界极需改进的目标。

发明内容

本发明的目的在于,克服现有的制造芯片载体的方法存在的缺陷,而提供一种新的制造芯片载体的方法,所要解决的技术问题是使其经改进的芯片载体能够提供良好的抗磨损性以显著增加载体的使用寿命,且在芯片的双面抛光期间,防止对芯片的边缘造成缺陷,非常适于实用。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。为达到上述目的,依据本发明的制造芯片载体的方法,所述芯片载体安装在用于对芯片的两个表面进行抛光的双面抛光设备处,所述方法包含:将构成芯片载体的载体主体机械加工成预设置的形状;在芯片载体的载体主体中形成初步孔和浆液引入孔;将类金刚石碳(diamond-like carbon,DLC)涂布在具有初步孔的载体主体上;以及在涂布DLC之后,扩大所述初步孔以形成芯片保持孔,芯片插入至所述芯片保持孔中。

根据本发明,所述方法可进一步包含在形成初步孔之后且在涂布DLC之前,将标记部件附着到载体主体的前表面和后表面中的至少一者,使得所述部件与初步孔的中心点间隔开相同的距离。此时,至少四个标记部件可围绕初步孔的中心点而径向安置着。

本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。借由上述技术方案,本发明制造芯片载体的方法至少具有下列优点及有益效果:本发明经改进的芯片载体能够提供良好的抗磨损性以显著增加载体的使用寿命,且在芯片的双面抛光期间,防止对芯片的边缘造成缺陷。

综上所述,本发明提供一种制造芯片载体的方法,其能够提供良好的抗磨损性以显著增加所述芯片载体的使用寿命,且在芯片的双面抛光期间,防止所述芯片的边缘发生缺陷。所述方法包含:将构成所述芯片载体的载体主体以机械方式加工成预设置的形状;在所述芯片载体的所述载体主体中形成初步孔和浆液引入孔;将类金刚石碳(DLC)涂布在具有所述初步孔的所述载体主体上;以及在涂布所述DLC之后,扩大所述初步孔以形成芯片保持孔,所述芯片插入至所述芯片保持孔中。

上述说明仅是本发明技术方案的概述,为了能够更清楚了解本发明的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂,以下特举较佳实施例,并配合附图,详细说明如下。

附图说明

图1是常规芯片载体的剖面示意图。

图2是图1所示的常规芯片载体的平面图。

图3是沿图2的线III-III截取的示意性横截面图。

图4是绘示根据本发明示范性实施例的制造芯片载体的方法的流程图。

图5是芯片载体主体的平面图。

图6是沿图5的线VI-VI截取的示意性横截面图。

具体实施方式

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