[发明专利]原位室清洁方法

权利要求书

1.一种原位室清洁方法，包括：

在具有包括多个孔的气体分配部件的室中，通过这些孔中的第一组孔提供第一清洁气流到所述室中；

通过这些孔中的第二组孔提供第二清洁气流，所述第二清洁气流少于所述第一清洁气流；和

离子化所述第一清洁气流和所述第二清洁气流，以便采用离子化的清洁气体基团对所述室进行清洁。

2.如权利要求1的原位室清洁方法，其中所述第一清洁气流和所述第二清洁气流包括氧。

3.如权利要求1的原位室清洁方法，其中所述第一清洁气流和所述第二清洁气流包括氧、氮、氢、CF₄、NF₃、SF₆、Cl₂、HBr、H₂O或CH₃OH中的至少一种。

4.如权利要求1的原位室清洁方法，其中所述这些孔是C形狭槽。

5.如权利要求1的原位室清洁方法，其中所述气体分配部件是喷嘴或喷头。

6.一种原位室清洁方法，包括：

在具有包括多个孔的气体分配部件的室中，通过第一组孔提供清洁气流到所述室中，同时没有清洁气流通过剩余的第二组孔被提供；

通过所述第二组孔提供清洁气流，同时没有清洁气流通过所述第一组孔被提供；和

离子化所述清洁气流，以便采用离子化的清洁气体基团对所述室进行清洁。

7.如权利要求6的原位室清洁方法，其中所述这些孔是C形狭槽。

8.如权利要求6的原位室清洁方法，其中清洁气流包括氧。

9.如权利要求6的原位室清洁方法，其中清洁气流包括氧、氮、氢、CF₄、NF₃、SF₆、Cl₂、HBr、H₂O或CH₃OH中的至少一种。

10.如权利要求6的原位室清洁方法，其中所述气体分配部件是喷嘴或喷头。

11.如权利要求10的原位室清洁方法，其中所述气体分配部件包括圆形区域，所述第一组孔位于中心圆形区域中，而所述第二组孔位于包围所述中心圆形区域的外部区域中。

12.如权利要求6的原位室清洁方法，其中所述清洁气流被射频功率离子化。

13.一种半导体工艺，包括：

在室中顺序地处理半导体晶片和使用在室的内部的气体分配部件以引入处理气流，其中所述气体分配部件包括多个孔；

在处理预定数量的半导体晶片之后进行原位室清洁，所述清洁包括使用所述气体分配部件引入清洁气体，其中所述原位室清洁包括：

(a)通过第一组孔将清洁气流提供到所述室中，同时没有清洁气流通过剩余的第二组孔被提供；

(b)通过所述第二组孔将清洁气流提供到所述室中，同时没有清洁气流通过所述第一组孔被提供；和

(c)离子化每一种清洁气流，以便采用离子化清洁气体基团对所述室进行清洁。

14.如权利要求13的半导体工艺，其中原位室清洁还包括在(a)和(b)之前通过所有孔将清洁气流提供到所述室中。

15.如权利要求14的半导体工艺，其中原位室清洁还包括在(a)和(b)之后通过所有孔将清洁气流提供到所述室中。

16.如权利要求15的半导体工艺，其中原位室清洁还包括在(a)和(b)之间通过所有孔将清洁气流提供到所述室中。

17.如权利要求15的半导体工艺，其中清洁气体包括氧。

18.如权利要求15的半导体工艺，其中清洁气体包括氧、氮、氢、CF₄、NF₃、SF₆、Cl₂、HBr、H₂O或CH₃OH中的至少一种。

19.如权利要求15的半导体工艺，其中所述气体分配部件是喷嘴或喷头。

20.如权利要求19的半导体工艺，其中所述气体分配部件包括圆形区域，所述第一组孔位于中心圆形区域中，而所述第二组孔位于包围所述中心圆形区域的外部区域中。