[发明专利]形成集成电路装置的制造方法及相应的集成电路装置

权利要求书

1.一种用于形成集成电路装置的制造方法，包括以下步骤：

在衬底上形成第一层级；

在所述第一层级上形成第二层级；

在所述第二层级上方形成覆盖层，所述覆盖层覆盖所述层级的第一区以及不覆盖第二区；以及

同时在所述第一区中蚀刻第一接触孔和在所述第二区中蚀刻第二接触孔，以在所述第二区中相对于所述覆盖层进行选择性的蚀刻，并所述第一区中将蚀刻进行至更深的程度。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述第一层级是包括包含熔丝的熔丝区的金属层级，以及所述第二层级是包括包含接触焊盘的焊盘区的金属层级。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其中，所述覆盖层沉积在所述熔丝区和所述焊盘区中，以及此后被从所述熔丝区中至少部分地去除。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述覆盖层选择性地生长在所述焊盘区中的焊盘上。

5.根据权利要求1所述的制造方法，进一步包括选择性地从所述焊盘去除所述覆盖层的至少一部分的步骤。

6.根据权利要求2所述的制造方法，其中，所述第二金属层级被形成为另一Cu大马士革层，所述Cu大马士革层包括嵌入在第二绝缘层中的由含Cu材料制成的焊盘。

7.根据权利要求2所述的制造方法，其中，在已经形成所述覆盖层之后以及在蚀刻步骤之前，在所述第二金属层级上形成至少一个保护层。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述覆盖层选自包括碳化硅和氮化硅的组。

9.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述覆盖层选自包括CoWP和NiPdAu的组。

10.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述第一层级和所述第二层级为包括结构化的导体的金属层级，并且其中，所述覆盖层覆盖所述第二区中的至少一个导体。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其中，所述覆盖层沉积在所述第一区和所述第二区中，以及此后，至少部分地被从所述第一区去除。

12.根据权利要求10所述的制造方法，其中，所述第一层级被形成为大马士革层，所述大马士革层包括嵌入在第一绝缘层中的包括含Cu材料的熔丝。

13.根据权利要求10所述的制造方法，其中，所述第二层级被形成为大马士革层，所述大马士革层包括嵌入在第二绝缘层中的包括含Cu材料的所述焊盘。

14.一种集成电路装置，包括：

衬底上的第一金属层级，所述第一金属层级包括包含熔丝的熔丝区；

所述第一金属层级上方的第二金属层级，所述第二金属层级包括包含接触焊盘的焊盘区；

所述第二金属层级上的覆盖层，其覆盖所述焊盘区而不覆盖所述熔丝区；以及

所述熔丝区中的第一接触孔，以及所述焊盘区中的第二接触孔；

其中，所述第二接触孔延伸至所述焊盘区中的所述覆盖层，以及所述第一接触孔延伸至所述熔丝区中的更深处。

15.根据权利要求14所述的集成电路装置，其中，所述第一金属层级是Cu大马士革层，所述Cu大马士革层包括嵌入在第一绝缘层中的由含Cu材料制成的熔丝。

16.根据权利要求14所述的集成电路装置，所述第二层级是包括另一Cu大马士革层，所述Cu大马士革层包括嵌入在第二绝缘层中的由含Cu材料制成的所述焊盘。

17.根据权利要求14所述的集成电路装置，其中，在所述第一金属层级上设置另一覆盖层。

18.根据权利要求14所述的集成电路装置，其中，所述覆盖层选自包括碳化硅和氮化硅的组。

19.根据权利要求14所述的集成电路装置，其中，所述覆盖层选自包括CoWP和NiPdAu的组。