[发明专利]半导体器件和具有该半导体器件的逆变器电路

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底(1)；

形成到所述半导体衬底(1)的绝缘栅极晶体管(21)；

形成到所述半导体衬底(1)的二极管(22)；以及

形成到所述半导体衬底(1)的第一控制晶体管(ST1，ST3)，

其中所述绝缘栅极晶体管(21)的第一电流端子在高电位侧耦合到所 述二极管(22)的阴极，

其中所述绝缘栅极晶体管(21)的第二电流端子在低电位侧耦合到所 述二极管(22)的阳极，并且

其中将所述第一控制晶体管(ST1，ST3)配置成，在所述二极管(22) 传导第一电流时，通过降低所述绝缘栅极晶体管(21)的栅极端子的电位 来使所述绝缘栅极晶体管(21)截止。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

形成到所述半导体衬底(1)的第一感测电阻器(31)，

其中所述二极管(22)具有用于输出与所述第一电流成比例的第二电 流的感测阳极端子(22b)，

其中所述第一感测电阻器(31)耦合在所述二极管(22)的所述阳极 和所述感测阳极端子(22b)之间，

其中所述第一控制晶体管(ST1)的控制端子耦合到所述二极管(22) 的所述阳极，

其中所述第一控制晶体管(ST1)的第一电流端子耦合到所述绝缘栅极 晶体管(21)的所述栅极端子，

其中所述第一控制晶体管(ST1)的第二电流端子耦合到所述二极管 (22)的所述感测阳极端子(22b)。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：

形成到所述半导体衬底(1)的第二控制晶体管(ST2)；以及

形成到所述半导体衬底(1)的第二感测电阻器(32)，

其中将所述第二控制晶体管(ST2)配置成，在流经所述绝缘栅极晶体 管(21)的第三电流超过可允许的电流值时，通过降低所述绝缘栅极晶体 管(21)的所述栅极端子的电位来使所述绝缘栅极晶体管(21)截止，

其中所述绝缘栅极晶体管(21)具有用于输出与所述第三电流成比例 的第四电流的感测电流端子(21b)，其中所述第二感测电阻器(32)耦合 在所述绝缘栅极晶体管(21)的所述感测电流端子(21b)和所述绝缘栅极 晶体管(21)的所述第二电流端子之间，

其中所述第二控制晶体管(ST2)的控制端子耦合到所述绝缘栅极晶体 管(21)的所述感测电流端子(21b)，

其中所述第二控制晶体管(ST2)的第一电流端子耦合到所述绝缘栅极 晶体管(21)的所述栅极端子，并且

其中所述第二控制晶体管(ST2)的第二电流端子耦合到所述绝缘栅极 晶体管(21)的所述第二电流端子。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

形成到所述半导体衬底(1)的第一感测电阻器(33)；以及

形成到所述半导体衬底(1)的第二感测电阻器(34)，

其中所述二极管(22)具有用于输出与所述第一电流成比例的第二电 流的感测阳极端子(22b)，其中第三电流流经所述绝缘栅极晶体管(21)，

其中所述绝缘栅极晶体管(21)具有用于输出与所述第三电流成比例 的第四电流的感测电流端子(21b)，其中所述第一感测电阻器(33)耦合 在所述二极管(22)的所述感测阳极端子(22b)和所述绝缘栅极晶体管(21) 的所述感测电流端子(21b)之间，

其中所述第二感测电阻器(34)耦合在所述绝缘栅极晶体管(21)的 所述感测电流端子(21b)和所述第二电流端子之间，并且

其中所述第一感测电阻器(33)的电阻大于所述第二感测电阻器(34) 的电阻，

其中所述第一控制晶体管(ST3)的控制端子耦合到所述绝缘栅极晶体 管(21)的所述感测电流端子(21b)，

其中所述第一控制晶体管(ST3)的第一电流端子耦合到所述绝缘栅极 晶体管(21)的所述栅极端子，并且

其中所述第一控制晶体管(ST3)的第二电流端子耦合到所述二极管 (22)的所述阳极(22a)。