[发明专利]透明薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种透明薄膜晶体管，包括：

衬底，由透明材料组成；

栅电极，在所述衬底上方形成；

栅极介电层，在所述栅电极和所述衬底上方形成；

活化层，在所述栅极介电层上方形成；以及

源电极和漏电极，在所述活化层上方彼此隔离开地形成以限定沟道区，

其中，所述栅电极、所述栅极介电层、所述活化层、所述源电极和所述漏电极中的至少一个层由非晶氧化物材料组成。

2.根据权利要求1所述的透明薄膜晶体管，其中，所述栅电极具有800到1200的厚度。

3.根据权利要求1所述的透明薄膜晶体管，其中，所述非晶氧化物材料包括非晶氧化锌铟(ZIO)和非晶氧化铝中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的透明薄膜晶体管，其中，所述衬底是玻璃衬底。

5.根据权利要求1所述的透明薄膜晶体管，其中，所述栅电极、所述活化层、所述源电极和所述漏电极由相同的非晶氧化物制成，所述非晶氧化物在常温下可以被形成为膜。

6.根据权利要求1所述的透明薄膜晶体管，其中，在所述栅电极上的所述栅极介电层的厚度小于所述活化层的厚度。

7.一种方法，包括：

在由透明材料组成的衬底上方形成栅电极；

在所述栅电极和所述衬底上方形成栅极介电层；

在所述栅极介电层上方形成活化层；以及然后

在所述活化层上方同时形成彼此隔离开的源电极和漏电极以限定沟道区，

其中，所述栅电极、所述栅极介电层、所述活化层、所述源电极和所述漏电极中的至少一个层由非晶氧化物材料组成。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述非晶氧化物材料包括非晶氧化锌铟(ZIO)和非晶氧化铝中的至少一种。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述栅电极的形成包括：

实施第一清洗工艺以从所述衬底的所述表面去除有机材料；

实施第二清洗工艺以去除残留在所述衬底的所述表面上的湿气和杂质；以及然后

在实施所述第一和第二清洗工艺之后形成所述栅电极。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，实施所述第一清洗工艺包括：

使用丙酮来实施所述衬底的所述表面的第一超声清洗；

使用乙醇来实施所述衬底的所述表面的第二超声清洗；以及然后

使用去离子水来实施所述衬底的所述表面的第三超声清洗。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，实施所述第二清洗工艺包括应用N₂气体。

12.根据权利要求7所述的方法，其中，在常温下使用RF溅射法来沉积所述栅电极、所述栅极介电层、所述活化层、所述源电极和所述漏电极中的至少一个层。

13.根据权利要求12所述的方法，进一步包括，在形成所述栅电极之前，实施预溅射工艺。

14.根据权利要求7所述的方法，其中，使用RF溅射法在氧气和氩气气氛中沉积所述活化层。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，形成所述活化层包括控制所述氧气的分压。

16.根据权利要求7所述的方法，其中，以800到1200的厚度形成所述栅电极、所述栅极介电层、所述源电极和所述漏电极中的至少一个。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，以400到800的厚度形成所述活化层。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，以比所述活化层的厚度小的厚度来形成在所述栅电极上的所述栅极介电层。

19.一种方法，包括：

设置由透明材料组成的衬底；

在所述衬底上方形成由非晶材料组成的栅电极；

在所述栅电极的最上表面和侧壁上方形成由非晶材料组成的栅极介电层；

在所述栅极介电层上方形成由非晶材料组成的活化层；以及然后

在所述活化层上方同时形成隔离开的由非晶材料组成的源电极和由非晶材料组成的漏电极以限定沟道区。

20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述非晶材料包括非晶氧化锌铟(ZIO)和非晶氧化铝中的至少一种。