[发明专利]微机电元件制作方法

权利要求书

1.一种微机电元件制作方法，其特征在于，包含：

提供一个第零层硅基板；

在该基板上形成微机电元件区域，在此微机电元件区域中设置有 第一牺牲区域，以将微机电元件以金属制成的悬浮结构部分与微机电 元件的其它部分区隔开，及第二牺牲区域，以将微机电元件的悬浮结 构部分与基板区隔开；

蚀刻去除该第一牺牲区域及一并去除第二牺牲区域，在此步骤完 成时已释放该微机电元件；

针对该第零层基板进行体型微加工，其中该第二牺牲区域定义体 型微加工的范围；以及

在该微机电元件的悬浮结构部分内形成第三牺牲区域，以将微机 电元件的悬浮结构部分上下隔开，并在蚀刻去除第一牺牲区域的步骤 中将此第三牺牲区域去除，

其中，上述所有步骤以CMOS制程完成。

2.如权利要求1所述的微机电元件制作方法，其中，该体型微加 工步骤包括：从正面对该第零层基板进行等向性蚀刻。

3.如权利要求2所述的微机电元件制作方法，其中，该第零层基 板为硅基板，且所述的等向性蚀刻使用XeF2气体进行。

4.如权利要求1所述的微机电元件制作方法，其中，该蚀刻去除 第一牺牲区域的步骤包含：先沉积定义一遮蔽层，再进行蚀刻，而该 遮蔽层用以避免第一牺牲区域以外的其它部分受到蚀刻。

5.如权利要求4所述的微机电元件制作方法，其中，该第一牺牲 区域为氧化物，且该蚀刻步骤包括以下两者之一：氢氟酸蒸气蚀刻、 或缓冲氧化物蚀刻。

6.如权利要求4所述的微机电元件制作方法，其中，该遮蔽层材 料选自以下之一：金属层、非晶硅层、氮化层、或氧化层加氮化层的 双层结构。

7.一种微机电元件制作方法，其特征在于，包含：

提供一个第零层硅基板；

在该基板上形成微机电元件区域，在此微机电元件区域中设置有 第一牺牲区域，以将微机电元件以金属制成的悬浮结构部分与微机电 元件的其它部分区隔开；

蚀刻去除该第一牺牲区域；

针对该第零层基板进行体型微加工；

形成微机电元件，其中该微机电元件的悬浮结构部分包含该第零 层基板的一部分；

其中蚀刻去除第一牺牲区域的步骤与针对该第零层基板进行体型 微加工的步骤并无绝对的先后次序，

在该微机电元件的悬浮结构部分内形成第二牺牲区域，并在蚀刻 去除第一牺牲区域的步骤中将此第二牺牲区域去除；以及

在该微机电元件区域中形成第三牺牲区域，以将微机电元件的悬 浮结构部分与基板区隔开，并在蚀刻去除第一牺牲区域的步骤中将此 第三牺牲区域去除，

其中，上述所有步骤以CMOS制程完成，且在蚀刻去除第一牺牲 区域的步骤完成时已释放该微机电元件。

8.如权利要求7所述的微机电元件制作方法，其中，该体型微加 工步骤包括：先从背面蚀刻第零层基板以降低其部份区域的厚度，再 从正面蚀刻该第零层基板。

9.如权利要求8所述的微机电元件制作方法，其中，该从背面与 正面蚀刻第零层基板的步骤是对该第零层基板进行非等向性蚀刻。

10.如权利要求9所述的微机电元件制作方法，其中，该第零层 基板为硅基板，且该非等向性蚀刻使用感应电浆蚀刻。

11.如权利要求7所述的微机电元件制作方法，其中，该蚀刻去 除第一牺牲区域的步骤包含：先沉积定义一遮蔽层，再进行蚀刻，而 该遮蔽层用以避免第一牺牲区域以外的其它部分受到蚀刻。

12.如权利要求11所述的微机电元件制作方法，其中，该第一牺 牲区域为氧化物，且该蚀刻步骤包括以下两者之一：氢氟酸蒸气蚀刻、 或缓冲氧化物蚀刻。

13.如权利要求11所述的微机电元件制作方法，其中，该遮蔽层 材料选自以下之一：金属层、非晶硅层、氮化层、或氧化层加氮化层 的双层结构。