[发明专利]化合物半导体元件的封装模块结构及其制造方法

权利要求书

1.一种化合物半导体元件的封装模块结构，包含：

一散热薄层，该散热薄层为连续层；

一介电层，包含多个开口，形成于该散热薄层上；

多个化合物半导体裸片，位于该介电层的多个开口中的散热薄层上，且 相邻的两化合物半导体裸片由该介电层分隔；

一将所述多个化合物半导体裸片固接于该散热薄层的手段；以及

一透明胶材，包覆所述多个化合物半导体裸片；

其中该散热薄层为具有电路图案的导电膜层，包含第一电极及第二电极， 分置于该化合物半导体裸片的下方两侧，该化合物半导体裸片固接于该散热 薄层的手段为利用倒装芯片接合方式将该化合物半导体裸片连接该导电膜层 的第一电极及第二电极，另包含多个凸块，所述多个凸块电性连接该化合物 半导体裸片与该导电膜层的第一电极及第二电极，该化合物半导体元件的封 装模块结构的厚度介于0.1至0.6mm。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体元件的封装模块结构，其中该化 合物半导体裸片可为发光二极管裸片、激光二极管或光传感裸片，该位于开 口两侧的介电层形成反射杯，该透明胶材内混有荧光粉，前述该透明胶材为 环氧树脂或硅氧烷其中之一。

3.一种化合物半导体元件的封装模块结构的制造方法，包含以下步骤：

提供一散热薄层，该散热薄层为连续层，该散热薄层先行形成于一暂用 基板上，该暂用基板由金属材料、陶瓷材料或高分子材料所制成；

形成一介电层于该散热薄层上，该介电层包含多个开口；

将多个化合物半导体裸片固接于多个开口中的散热薄层上；

将一电路板覆盖于该介电层上，该电路板包含第一电极及第二电极，分 置于该化合物半导体裸片两侧的介电层上；

电性连接所述多个化合物半导体裸片与第一电极及第二电极；以及

将一透明胶材包覆该化合物半导体裸片；

该暂用基板是通过弯折、分离、蚀刻、激光切割或研磨的方式而移除。

4.根据权利要求3所述的化合物半导体元件的封装模块结构的制造方 法，其中该散热薄层的材料为银、镍、铜、锡、铝或前述金属的合金，所述 多个化合物半导体裸片以固晶胶接合于该散热薄层，电性连接所述多个化合 物半导体裸片与第一电极及第二电极是以焊线技术并通过多个金属导线进行 电性连接，该半导体裸片可为发光二极管裸片、激光二极管或是光传感裸片， 该透明胶材为环氧树脂或硅氧烷。

5.一种化合物半导体元件的封装模块结构的制造方法，包含以下步骤：

提供一散热薄层，包含第一电极及第二电极；

形成一介电层于该散热薄层上，该介电层包含多个开口；

将多个化合物半导体裸片固接于多个开口中的散热薄层上，且将化合物 半导体裸片电性连接至该第一电极及第二电极；以及

将一透明胶材包覆该化合物半导体裸片。

6.根据权利要求5所述的化合物半导体元件的封装模块结构的制造方 法，其中该散热薄层先行形成于一暂用基板上，且该暂用基板于透明胶材包 覆该化合物半导体裸片后移除。

7.根据权利要求6所述的化合物半导体元件的封装模块结构的制造方 法，其中该散热薄层为一导电膜层，且以印刷、网印、电铸、化镀或溅镀而 形成于该暂用基板，该暂用基板通过弯折、分离、蚀刻、激光切割或研磨的 方式而移除。

8.根据权利要求5所述的化合物半导体元件的封装模块结构的制造方 法，其中该散热薄层的材料为银、镍、铜、锡、铝或前述金属的合金，电性 连接所述多个化合物半导体裸片与第一电极及第二电极是以倒装芯片技术并 通过多个导电凸块进行电性连接，该半导体裸片可为发光二极管裸片、激光 二极管或是光传感裸片，该透明胶材为环氧树脂或硅氧烷。