[发明专利]微器件和制造该器件的方法无效

专利信息
申请号: 200810172737.6 申请日: 2008-11-11
公开(公告)号: CN101434373A 公开(公告)日: 2009-05-20
发明(设计)人: 菊地直树;伊藤荣一;水野纯 申请(专利权)人: HOYA株式会社
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;G02B26/08;G02B26/10;B81C1/00
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 代理人: 程 伟;王锦阳
地址: 日本东京都新*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 器件 制造 方法
【权利要求书】:

1、一种微器件,包括:

用于形成环绕的腔体的框架,该框架具有第一开口和正对着第一开口的第二开口;

腔体中提供的可动部分;

腔体中用于支撑可动部分的支撑部分;

用于与框架结合和密封框架的第一开口的第一密封元件;以及

用于与框架结合和密封框架的第二开口的第二密封元件,

其中框架包括相对于该框架用于装调第一密封元件和第二密封元件中的至少一个的装调结构。

2、根据权利要求1所述的微器件,

其中形成装调结构,以安装第一密封元件和第二密封元件中的至少一个到装调结构中。

3、根据权利要求2所述的微器件,

其中装调结构形成为台阶形式,以便在其中安装第一密封元件和第二密封元件中的至少一个。

4、根据权利要求1所述的微器件,

其中框架、可动部分和支撑部分整体形成。

5、根据权利要求1所述的微器件,

其中腔体被完全密封。

6、根据权利要求1所述的微器件,

其中,形成外部尺寸等于或小于腔体外部尺寸的第一密封元件;以及

其中,形成外部尺寸等于或小于腔体外部尺寸的第二密封元件。

7、一种制造配有被一个或多个侧壁环绕的腔体支撑的可动部分的微器件的方法,该方法包括:

在包含在晶圆中的每个芯片的第一表面上形成第一掩膜图形的第一掩膜图形步骤,以在第一表面上定义不被第一掩膜覆盖的第一曝光区域;

以预定的深度刻蚀第一曝光区域的第一刻蚀步骤,以形成在第一曝光区域外的区域突出于第一曝光区域的第一台阶结构;

形成第二掩膜图形的第二掩膜图形步骤,以在第一曝光区域中定义不被第二掩膜覆盖的第二曝光区域;

以预定的深度刻蚀第二曝光区域的第二刻蚀步骤,以形成部分的一个或多个侧壁

形成第三掩膜图形的第三掩膜图形步骤,以在第二曝光区域中定义不被第三掩膜覆盖的第三曝光区域;

刻蚀第三曝光区域和形成余下的一个或多个环绕腔体的侧壁和腔体支撑的可动部分的第三刻蚀步骤

相对第一台阶结构装调第一密封元件的第一装调步骤,使得第一密封元件安装到第一台阶结构中;和

结合第一密封元件和第一台阶结构的第一结合步骤。

8、根据权利要求7所述的方法,进一步包括:

在包含在晶圆中相对于每个芯片的第一表面的第二表面上形成第四掩膜图形的第四掩膜图形步骤,以在第二表面上定义不被第四掩膜覆盖的第四曝光区域;

以预定深度刻蚀第四曝光区域的第四刻蚀步骤,以形成在第四曝光区域外的区域突出于第四曝光区域的第二台阶结构;

形成第五掩膜图形的第五掩膜图形步骤,以在第四曝光区域中定义不被第五掩膜覆盖的第五曝光区域;

以预定的深度刻蚀第五曝光区域的第五刻蚀步骤,以形成部分的一个或多个侧壁;和

形成第六掩膜图形的第六掩膜图形步骤,以在第五曝光区域中定义不被第六掩膜覆盖的第六曝光区域,

其中,在第三刻蚀步骤,刻蚀第六曝光区域以及第三曝光区域以形成余下的一个或多个环绕腔体的侧壁和腔体支撑的可动部分。

其中该方法进一步包括:

相对于第二台阶结构装调第二密封元件的第二装调步骤,使得第二密封元件安装到第二台阶结构中;和

结合第二密封元件和第二台阶结构的第一结合步骤。

9、根据权利要求7所述的方法,

其中,在第一结合步骤中,腔体被完全密封。

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