[发明专利]循环利用副产物生产多晶硅的方法无效
| 申请号： | 200810172090.7 | 申请日： | 2008-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN101723371A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 杰克·布莱斯 | 申请（专利权）人： | 卓越诚信集团有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03 |
| 代理公司： | 北京中海智圣知识产权代理有限公司 11282 | 代理人： | 胡静 |
| 地址： | 英国英属*** | 国省代码： | 英国;GB |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 循环 利用 副产物 生产 多晶 方法 | ||
【权利要求书】：
1.循环利用副产物生产多晶硅的方法，该方法为：提纯SiHCl3原料，生成SiHCl3精料，将SiHCl3精料在还原炉中进行H2还原反应，生成多晶硅和由HCl、H2、SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2组成的副产物，冷冻回收所述副产物，得到由SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2组成的冷凝液和由HCl、H2组成的气体，处理所述气体，得到H2并输送到所述还原炉参与H2还原反应，其特征在于：处理由HCl和H2组成的气体的方法为使所述气体与硅粉反应生成SiHCl3，将生成的SiHCl3作为SiHCl3原料使用；由SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2组成的冷凝液循环进入所述还原炉参与H2还原反应。
2.根据权利要求1所述的循环利用副产物生产多晶硅的方法，其特征在于：所述气体与硅粉反应的温度为330-370℃。
3.根据权利要求1所述的循环利用副产物生产多晶硅的方法，其特征在于：所述还原炉内的反应温度为1150-1250℃。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于卓越诚信集团有限公司，未经卓越诚信集团有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810172090.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种提高苛化碱液浓度的方法
- 下一篇：一种变频空调器的控制方法
