[发明专利]硅提纯方法及装置

权利要求书

1.一种硅提纯方法，包括以下步骤：

向一装有硅粉的反应腔输入除杂气体，并对该反应腔进行抽真空，使该反应腔内的压力保持在使除杂气体可形成等离子体的范围内；

向所述反应腔输入能量，使除杂气体离化形成等离子体；以及

取出硅粉。

2.如权利要求1所述的硅提纯方法，其特征在于，所述反应腔内压力为30-60Pa。

3.如权利要求1所述的硅提纯方法，其特征在于，所述除杂气体为下列之一或多个的混合物，氯化氢、氢气、氧气、氢氟酸、氩气。

4.如权利要求3所述的硅提纯方法，其特征在于，所述除杂气体为氯化氢与氩气的混合物。

5.如权利要求1所述的硅提纯方法，其特征在于，以射频辉光放电的方式向所述反应腔内输入能量，使所述反应腔内的除杂气体形成等离子体。

6.如权利要求1所述的硅提纯方法，其特征在于，它还包括以下步骤：向所述反应腔输入除杂气体前，对所述反应腔进行抽真空至真空度为1-60Pa，持续时间为10-30分钟。

7.如权利要求1所述的硅提纯方法，其特征在于，它还包括以下步骤：将取出的硅粉熔融后重结晶并粉碎，将粉碎获得的硅粉置于一反应腔内，重复所述输入除杂气体的步骤、形成等离子体的步骤以及取出硅粉的步骤。

8.如权利要求1所述的硅提纯方法，其特征在于，所述硅粉的颗粒大小为60-400目。

9.一种硅提纯装置，包括一密封反应腔，其特征在于，它还包括一除杂气体输入端口，通过其向所述反应腔内输入除杂气体，一抽真空端口，通过其将所述反应腔抽真空，以及一能量输入装置，用于向所述反应腔输入能量，使所述反应腔内的除杂气体形成等离子体。

10.如权利要求9所述的硅提纯装置，其特征在于，所述能量输入装置为一射频辉光放电装置。

11.如权利要求9所述的硅提纯装置，其特征在于，被处理硅粉置于所述除杂气体输入端口与抽真空端口之间。