[发明专利]液晶取向剂和液晶显示元件

说明书

技术领域

本发明涉及液晶取向剂和液晶显示元件。更具体地说，涉及能够形成电压保持率和残像性能优异的液晶取向膜的液晶取向剂和残像性能优异的液晶显示元件。

背景技术

目前，作为液晶显示元件，具有所谓TN型(扭曲向列)液晶盒的TN型液晶显示元件已广为人知，其在设置了ITO(铟-锡氧化物)膜等透明导电膜的基板表面上形成液晶取向膜，作为液晶显示元件用的基板，将两块该基板相对设置，在其间隙内形成具有正介电各向异性的向列型液晶层，构成夹层结构的盒，液晶分子的长轴从一块基板向另一块基板连续地扭转90度。另外，还开发了与TN型液晶显示元件相比能够达到更高对比度的STN(超扭曲向列)型液晶显示元件。上述TN型和STN型液晶显示元件中液晶分子的取向通常由进行了打磨处理的液晶取向膜控制。

相比之下，还开发了在透明导电膜上设置突起，并由其控制液晶分子取向的改善了视角性能的MVA(多畴垂直取向)型液晶显示元件(参见专利文献1和非专利文献1)、由特殊电极构造控制液晶分子取向的EVA(强化垂直取向)型液晶显示元件(参见非专利文献2)、采用光取向法的垂直取向型液晶显示元件(参见非专利文献3)等垂直取向型液晶显示元件。这些垂直取向型液晶显示元件视角性能、对比度等优良，并且在形成液晶取向膜的过程中可以不进行打磨处理等，因而在制造工序方面也是优良的。但是，与上述TN型、STN型液晶显示元件相比，性能还不是十分好，特别是需要提高垂直取向性和液晶显示元件残像性能等方面的性能。

为解决上述问题，已尝试了着眼于电压保持率和残像性能的关系，将由具有烯丙基的二胺化合物合成的聚酰亚胺或其酰亚胺化聚合物用于液晶取向膜，以提高电压保持率，并由此来改善残留性能(参见专利文献2)，但是即使采用该技术，残像性能的改善仍然是不够好。

另外，还尝试了使用由含有1，2，3，4-环丁烷四羧酸二酐和均苯四酸二酐的四羧酸二酐合成的聚酰胺酸作为液晶取向剂来改善电压保持率、残留电荷、残像性能(参见专利文献3～6)，但是采用这些技术时存在不能得到足够的电压保持率的问题。

【专利文献1】日本特开平11-258605号公报

【专利文献2】国际公开第WO2005/052028号小册子

【专利文献3】日本特愿2001-206168号公报

【专利文献4】日本特表2001-510497号公报

【专利文献5】日本特开2001-296525号公报

【专利文献6】日本特开平10-197875号公报

【专利文献7】日本特开平6-222366号公报

【专利文献8】日本特开平6-281939号公报

【专利文献9】日本特开平5-107544号公报

【非专利文献1】“液晶”，Vol.3，No.2，p117(1999年)。

【非专利文献2】“液晶”，Vol.3，No.4，p272(1999年)。

【非专利文献3】“Jpn Appl.phys.”，Vol.36，p428(1997年)

发明内容

本发明是鉴于上述情况而作出的，其目的是提供一种不但适用于TN型和STN型，而且在适用于垂直取向型液晶显示元件时，也能够形成显示出良好的液晶取向性、且电压保持率和残像性能优异的液晶取向膜的液晶取向剂，以及残留性能优异的液晶显示元件。

本发明的其他目的和优点，由以下的说明可以看出。

根据本发明，本发明的上述目的，第一，由一种液晶取向剂达成，其包含由聚酰胺酸以及其酰亚胺化聚合物构成的群组中选出的至少一种聚合物，该聚酰胺酸由四羧酸二酐与二胺反应所制得，该四羧酸二酐含有1，2，3，4-环丁烷四羧酸二酐和相对于全部四羧酸二酐为1～10摩尔％的均苯四酸二酐，该二胺含有下述式(1)表示的化合物。

本发明的上述目的，第二，由一种液晶显示元件达成，其具有由上述液晶取向剂形成的液晶取向膜。

附图说明

图1为残像性能评价而制造的液晶盒的模式图。

具体实施方式

<聚酰胺酸>

本发明液晶取向剂中所含的聚酰胺酸可以通过使含有1，2，3，4-环丁烷四羧酸二酐和相对于全部四羧酸二酐为1～10摩尔％的均苯四酸二酐的四羧酸二酐与含有上述式(1)表示的化合物的二胺反应而合成。

[四羧酸二酐]