[发明专利]半导体器件和制造该半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在单元区域的半导体基板上形成纵向单元晶体管结构；

在所述纵向单元晶体管结构上形成绝缘膜；

对所述绝缘膜进行平坦化以露出在所述纵向单元晶体管结构的顶部设置的硬掩模薄膜；以及

通过移除所述硬掩模薄膜来形成存储节点触点。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

对所述绝缘膜进行平坦化的步骤包括化学机械抛光。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，

移除所述硬掩模薄膜的步骤包括干式蚀刻或湿式蚀刻。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：形成填充所述存储节点触点的存储节点接触插塞。

5.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

准备包括单元区域和核心/外围电路区域的半导体基板；

在所述核心/外围电路区域的半导体基板中形成凹陷部；

在所述单元区域的半导体基板上形成纵向单元晶体管结构，并且在所述核心/外围电路区域的具有凹陷部的半导体基板上形成栅极；

在所述纵向单元晶体管结构和所述栅极上形成绝缘膜；

对所述绝缘膜进行平坦化以露出在所述纵向单元晶体管结构的顶部设置的硬掩模薄膜；以及

通过移除所述硬掩模薄膜来形成存储节点触点。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，

在所述半导体基板中形成凹陷部的步骤包括干式蚀刻或湿式蚀刻。

7.根据权利要求5所述的方法，包括：

将所述凹陷部蚀刻成使得所述栅极的上表面形成为低于所述纵向单元晶体管结构的上表面。

8.根据权利要求5所述的方法，其中，

所述凹陷部具有在至的范围内的深度。

9.根据权利要求5所述的方法，还包括：

在具有所述凹陷部的核心/外围电路区域中形成器件隔离膜。

10.根据权利要求5所述的方法，其中，

对所述绝缘膜进行平坦化的步骤包括化学机械抛光。

11.根据权利要求5所述的方法，其中，

移除所述硬掩模薄膜的步骤包括干式蚀刻或湿式蚀刻。

12.根据权利要求5所述的方法，还包括：形成填充所述存储节点触点的存储节点接触插塞。

13.一种半导体器件，包括：

纵向单元晶体管结构，其在单元区域中形成；

栅极，其在核心/外围电路区域中形成并且低于所述纵向单元晶体管结构的顶部；以及

绝缘膜，其包括使所述纵向单元晶体管结构的存储节点接面区域露出的存储节点触点。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，

所述存储节点接面区域和所述存储节点触点是自对准的。