[发明专利]用于半导体晶粒封装的互连结构及其方法无效
| 申请号： | 200810170908.1 | 申请日： | 2008-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN101414590A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 杨文焜;许献文 | 申请（专利权）人： | 育霈科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 | 代理人： | 申 健 |
| 地址： | 中国台湾新竹县湖*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 晶粒 封装 互连 结构 及其 方法 | ||
1、一种用于半导体晶粒封装的互联结构，其特征在于，所述的用于半导体晶粒封装的互联结构包含：
一增层，该增层具有重布层形成于其中，该增层形成于一晶粒上，而所述晶粒具有晶粒垫形成于其上方，其中所述的重布层耦合至所述晶粒垫；
一隔离基座，其具有凸块开口附着于所述增层上方以露出所述增层内的锡球垫；及
一导电凸块，配置于所述隔离基座的所述凸块开口中，并附着于所述增层内的所述锡球垫上。
2、根据权利要求1所述的用于半导体晶粒封装的互联结构，其特征在于：还包含一球下金属层结构形成于所述导电锡球垫上方。
3、根据权利要求1所述的用于半导体晶粒封装的互联结构，其特征在于：所述的球下金属层附着于所述凸块开口的侧壁上。
4、根据权利要求1所述的用于半导体晶粒封装的互联结构，其特征在于：还包含一粘着层于所述隔离基座下。
5、根据权利要求1所述的用于半导体晶粒封装的互联结构，其特征在于：所述的重布层设定为扇入式(fan-in)架构。
6、根据权利要求1所述的用于半导体晶粒封装的互联结构，其特征在于：所述的重布层设定为扇出(扩散)式(fan-out)架构。
7、根据权利要求1所述的用于半导体晶粒封装的互联结构，其特征在于：还包含一基底形成于所述的晶粒下。
8、根据权利要求7所述的用于半导体晶粒封装的互联结构，其特征在于：还包含核心胶形成于所述的晶粒旁。
9、一种形成一用于半导体晶粒封装的互连结构的方法，其特征在于，包含：
形成增层于一晶粒或晶圆(或面板)的核心区域上方，其中所述的增层包含重布层形成于其中；
至少于增层的上层开出开口，用以露出焊锡金属垫；
附着一具有凸块开口样式的隔离基座于所述增层上，并露出所述的焊锡金属垫；及
将焊锡凸块配置于所述隔离基座的所述凸块开口中并附着于所述增层的所述焊锡金属垫上。
10、根据权利要求9所述的形成一用于半导体晶粒封装的互连结构的方法，其特征在于，还包含一实行红外线回焊制程(IR re-flow process)的步骤。
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